es nとは 意味・読み方・使い方

In this controlling method for an upshift operation for an automatic mechanical transmission device for vehicle and control system therefor, when an upshift from the present connection ratio (GR) is requested (ES>ESU/S), a skip upshift (GRTARGET=GR+N,N>1) and a single stage upshift (GRTARGET= GR+1) are successively evaluated.例文帳に追加

車両用機械式自動変速装置(10)のアップシフト操作の制御方法及び制御システムであって、現在の連結比(GR)からのアップシフトが要求された場合(ES>ES_U/S)スキップアップシフト(GR_TARGET=GR+N,N>1)及び単段アップシフト(GR__TARGET=GR+1)が順次評価される。 - 特許庁

To determine an estimate value Ps_es(N) of the refrigerant suction pressure of a compressor 2.例文帳に追加

コンプレッサ２の冷媒吸入圧力の推定値Ｐｓ＿ｅｓ（Ｎ）を求める。 - 特許庁

When a down shift from the present connection gear ratio(GR) is requested, or an engine speed(ES) is lower than the downshift engine speed on a shift point transmission line 62 with the present throttle displacement, a sequence for specifying an executable downshift target gear ratio is started.例文帳に追加

車両用機械式自動変速装置(10)のダウンシフト操作の制御方法及び制御システムであって、現在の連結比(GR)からのダウンシフトが要求された場合(ES<ES_D/S)、スキップダウンシフト(GR_TARGET=GR-N,N>1)及び単段ダウンシフト(GR_TARGET=GR-1)が順次評価される。 - 特許庁

Accordingly, the estimate value Ps_es(N) of high accuracy of the refrigerant suction pressure of the compressor 2 can be determined.例文帳に追加

よって、コンプレッサ２の冷媒吸入圧力の精度良い推定値Ｐｓ＿ｅｓ（Ｎ）を求めることができる。 - 特許庁

An S/N signal generation part 50 computes an S/N signal from the sound intensity signals Es-k (k=1 to m) and noise intensity signals En-k (k=1 to m).例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比信号生成部５０は、音声強度信号Ｅｓ−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）と雑音強度信号Ｅｎ−ｋ（ｋ＝１〜ｍ）からＳ／Ｎ比信号を演算する。 - 特許庁

This semiconductor device 100 includes: a first transistor 200 of n=1 and a second transistor 202 of n=2 or more each of which is a transistor having n trench(es) 162 each formed so that the depth discontinuously changes in a gate width direction; and an element isolation insulation film 110 formed around regions where the respective transistors are formed and isolating the regions where the transistors are formed.例文帳に追加

半導体装置１００は、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するように形成されたｎ個のトレンチ１６２を有するトランジスタであって、ｎ＝１の第１のトランジスタ２００とｎ＝２以上の第２のトランジスタ２０２と、各トランジスタが形成された領域の周囲に形成されて当該トランジスタが形成された領域を区分けする素子分離絶縁膜１１０と、を含む。 - 特許庁