external diffusion methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a manufacturing method of a bismuth-based oxide superconductive wire having an excellent characteristic by preventing external diffusion of Cu.例文帳に追加

Ｃｕの外部拡散を防止して優れた特性のビスマス系酸化物超電導線材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element having a diffusion prevention film capable of effectively suppressing the external diffusion of impurities although the sheet resistance and contact resistance of a gate stack are small.例文帳に追加

ゲートスタックのシート抵抗及びコンタクト抵抗が小さいながらも、不純物の外部拡散を効果的に抑制することのできる拡散防止膜を備える半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device which can suppress the external diffusion of impurities introduced to a polysilicon resistor.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗に導入された不純物の外方拡散を抑制することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a blasting treatment method for blasting a treatment object with a simple constitution while efficiently suppressing diffusion of harmful substances to the external at low cost.例文帳に追加

簡単な構成で、効率よくかつ低コストで有害物質等の外部への拡散を抑止しつつ被処理物を爆破処理することのできる爆破処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric capacitor which exhibits proper electrical characteristics by preventing the advancing diffusion of an external substance, such as a reducing element or the like to a dielectric film, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

誘電体膜に対する還元性元素等の外部物質の進入拡散を防止することによって，良好な電気的特性を示す誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for connecting at least two metal layers by means of diffusion soldering process, wherein the metal layers are self-matched without using an external force imparted to the metal layers.例文帳に追加

拡散はんだ付けプロセスを用いて少なくとも２つの金属層を接続させる金属層の接続方法であって、金属層に加えられる外部力を用いずに、金属層が自己整合する接続方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁