ferromagnetic transitionとは 意味・読み方・使い方

Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Mn,Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

The ferromagnetic characteristics are adjusted by the adjustment of the concentrations of the transition metals, the combination of two or more of the metals selected from the transition metals, Mn or the like, the addition of a dopant or the like.例文帳に追加

そして、これらの遷移金属の濃度の調整、Ｍｎなどを加えた金属から２種以上の金属の組合せ、ドーパントの添加などにより強磁性特性を調整する。 - 特許庁

A physical phenomenon, e.g. ferromagnetic transition or Mott transition, emerging in that structure is controlled by setting the spiral winding pitch or the number of linear structures becoming the base.例文帳に追加

らせんの巻ピッチや、基底となる線状構造の数の設定により、この構造において発現する物理現象、例えば強磁性転移やモット転移を制御する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is formed of a III-V compound semiconductor such as InAs, and ferromagnetic fine wires 2 of ferromagnetic transition metal such as Fe, preferably each being 0.2 to 3 μm in width, 1 to 4,000 μm in length, and 10 to 100 nm in height, are formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＡｓなどのIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１上に、Ｆｅなどの強磁性遷移金属からなる強磁性細線２を、好ましくは幅０．２〜３μｍ、長さ１〜４０００μｍ、高さ１０〜１００ｎｍに形成する。 - 特許庁

To provide a method of high-speed and high-sensitivity reading-out of magnetization information by using light transition using the quantum well level in thin metallic film of magnetic metal, noble metal, magnetic metal, semiconductor, ferromagnetic metal, etc., or the semiconductor quantum well level held between ferromagnetic metals.例文帳に追加

磁性金属、貴金属、磁性金属、半導体、強磁性金属等の金属薄膜中の量子井戸準位または強磁性体に挟まれた半導体量子井戸準位を使った光遷移を用い、磁化情報の高速高感度読み出し方法を提供する。 - 特許庁

A material of ferromagnetic layers 106, 107 constituting the magneto-resistance effect element is constituted of a ferromagnetic material including at least one kind of 3d transition metals to control the magnetic resistance change rate, and the film thickness of the ferromagnetic layers is controlled at an atomic layer level to change the magnetization direction from the in-plane direction of a film surface to the film surface perpendicular direction.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する強磁性層１０６，１０７の材料を、３ｄ遷移金属を少なくとも１種類含んだ強磁性材料で構成することで、磁気抵抗変化率を制御し、且つ、強磁性層の膜厚を原子層レベルで制御することで磁化方向を膜面内方向から膜面垂直方向に変化させた。 - 特許庁

The ferromagnetic semiconductor element includes a substrate 11, a titanium dioxide layer 15 provided on the substrate 11, a transition-element-doped titanium dioxide layer 12 provided on the titanium dioxide layer 15, an electrolyte 13 provided on the transition-element-doped titanium dioxide layer 12, and a gate electrode 14 provided to contact with the electrolyte 13.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に設けた二酸化チタン層１５と、二酸化チタン層１５上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層１２と、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２上に設けた電解液１３と、電解液１３と接触するよう設けたゲート電極１４と、を含む。 - 特許庁