floating zone growthとは 意味・読み方・使い方

The phosphor is produced by the floating zone melt crystal growth method.例文帳に追加

浮遊帯域溶融結晶成長法で作製する。 - 特許庁

In this equipment for producing a single crystal with a floating zone melting method (FZ method) or transfer solvent floating zone melting method (TSFZ method), a transparent partition wall 21 for a single crystal growth area is provided with a heater(s) 31 for heating the partition wall 21.例文帳に追加

浮遊溶融帯法または溶媒移動浮遊溶融帯法により単結晶を製造する装置において、単結晶の育成が行われる透明隔壁２１に、その透明隔壁を加熱するヒータ３１を取り付ける。 - 特許庁

To provide a single crystal growth apparatus capable of easily and stably growing a large-diameter single crystal especially from a high-melting point raw material by the floating zone process.例文帳に追加

フローティングゾーン法により、特に高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZrB_2 single crystal, which is based on a floating zone melting method (FZ method) and by which a large size and good quality single crystal can be obtained at a low growth temperature.例文帳に追加

育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）によるＺｒＢ_２単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel method for manufacturing a boride single crystal that has better crystallinity than that obtained with the prior art, by a floating zone method; and to provide a substrate that is made by the manufacturing method and is suitable for epitaxial growth of a semiconductor layer, particularly a GaN-based semiconductor layer.例文帳に追加

ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。 - 特許庁

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal.例文帳に追加

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。 - 特許庁