floating zone melting methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal fluoride body by growing a metal fluoride single crystal by a Czochralski method or a floating zone melting method, when the metal fluoride single crystal is grown, the method for manufacturing the metal fluoride body is characterized in that millimeter-wave heating is utilized in at least a part of heating means for melting the metal fluoride.例文帳に追加

チョクラルスキー法または浮遊帯域融解法で金属フッ化物単結晶を育成して金属フッ化物体を製造する方法において、前記金属フッ化物単結晶を育成する際、金属フッ化物を融解する加熱手段の少なくとも一部にミリ波加熱を用いることを特徴とする金属フッ化物体の製造方法。 - 特許庁

A β-Ga_2O_3 single crystal wafer, prepared by utilizing an optical floating-zone melting method, is used as a substrate, and then a β-Ga_2O_3 single crystal film is grown on the (100) plane of the substrate at a temperature of ≥800°C by a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶膜を成長させる。 - 特許庁

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal.例文帳に追加

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。 - 特許庁

The method for manufacturing the porous nonmetallic inorganic material comprises successively partially melting a raw material composed of a nonmetallic inorganic material by a floating zone melting method while moving the raw material and dissolving gas into the molten inorganic material, then successively cooling and solidifying the molten inorganic material under gas atmosphere.例文帳に追加

ガス雰囲気下で、非金属無機材料からなる原料を移動させながら浮遊帯溶融法によって順次部分的に溶融させて、溶融した無機材料中にガスを溶解させた後、溶融した無機材料を順次冷却凝固させることを特徴とする多孔質非金属無機材料の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the solid solution comprises a step of obtaining an aluminum oxide-gallium oxide solid solution by a floating zone melting method in which a sintered compact using a gallium oxide powder and an aluminum oxide powder as raw materials is used and a gallium oxide single crystal is used as a seed crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。 - 特許庁

γ-Single phase TiAl single crystal alloy whose primary crystal is γ-phase is used as a seed crystal and TiAl-based single crystal alloy is coagulated in one direction, preferably by optical type floating zone melting method from the above seed crystal to grow the TiAl-based single crystal alloy.例文帳に追加

初晶がγ相であるγ単相ＴｉＡｌ単結晶合金を種結晶として用い、この種結晶から好ましくは光学式浮遊帯域溶融法によって一方向凝固させ、ＴｉＡｌ基単結晶合金を育成する。 - 特許庁

The method for producing a silicon germanium nanowire aggregate is characterized in that an alloy having a composition shown by general formula Si_xGe_1-x (wherein, 0<x<1) is melted by a floating zone melting method, and, by regulating the melting temperature, the differential degree of x in the formula between the spherical part and the nanowire part is controlled.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムナノワイヤー集合体の製造方法は、一般式Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（式中、０＜ｘ＜１）で示す組成を有する合金を浮遊帯域溶融法により溶解させることからなり、その溶融温度を調整することで、前記球状部とナノワイヤー部との前記式中のｘの相違具合を制御する構成である。 - 特許庁