gaas fet amplifierとは 意味・読み方・使い方

To provide a high frequency amplifier circuit which enables reduction in a drain bias current Idq of a GaAs FET comprising a high frequency amplifier at a high temperature.例文帳に追加

高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴに対する高温でのドレインバイアス電流Ｉdqを低減させることができる高周波増幅回路を得る。 - 特許庁

To provide a power amplifier with a bias changeover switch employing a GaAs FET used at a microwave band.例文帳に追加

マイクロ波帯で使用するＧａＡｓＦＥＴを用いたバイアス切替スイッチ付き電力増幅装置を提供する。 - 特許庁

To compensate fluctuation when producing a differential amplifier composed of GaAs depletion field-effect transistors(FET).例文帳に追加

ＧａＡｓ系デプレッション電界効果トランジスタで構成される差動増幅器の製造時の上記変動を補償する。 - 特許庁

As a GaAs FET 21 of the transmission amplifier 20, the one of a type for applying positive voltage to gate voltage Vg is used, a source is grounded, and "DC+4V" to be output from a first power supply part 22 is supplied to a drain via a low-pass filter 24.例文帳に追加

送信増幅器２０のGaAsＦＥＴ２１としてゲート電圧Ｖｇに正の電圧を印加するタイプのものを使用し、ソースを接地し、ドレインに第１電源部２２から出力される「ＤＣ＋４Ｖ」をローパスフィルタ２４を介して供給する。 - 特許庁

The mounted substrate of a power amplifier is provided with a glass epoxy substrate 14 where a recessed part (a) is formed, and a copper plate 17 led to a lower surface of the substrate which has an area to enable a GaAs-FET 11 to be mounted on the recessed part and a heat dissipation structure having the configuration of a projection part 17A projecting by the thickness of the substrate.例文帳に追加

電力増幅器の実装基板において、（ａ）凹部が形成されたガラスエポキシ基板１４と、前記凹部にＧａＡｓ−ＦＥＴ１１を搭載可能な面積で、かつ、前記基板厚分の凸部１７Ａの形状の放熱構造を有する、前記基板の下面に導出される銅板１７を設ける。 - 特許庁

A constant negative voltage Vgg is divided by a gate bias circuit 3 composed of a serial circuit of a resistor R1 which is a trimmable resistor and a resistor R2 which is a fixed resistor having a positive temperature coefficient, and applied to the gate of a GaAs FET 2 comprising the high frequency amplifier as a gate bias voltage Vgq.例文帳に追加

負の定電圧Ｖggを、トリマブル抵抗である抵抗Ｒ１と正の温度係数を有する固定抵抗である抵抗Ｒ２の直列回路からなるゲートバイアス回路３で分圧して、高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴ２のゲートにゲートバイアス電圧Ｖgqとして印加するようにした。 - 特許庁