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GaAs-FETとは 意味・読み方・使い方
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「GaAs-FET」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
To obtain an epitaxial wafer for field effect transistors with a semi-insulating GaAs substrate structure in which the back-gate effect of a GaAs FET is suppressed.例文帳に追加
ＧａＡｓＦＥＴのバックゲート効果を抑制した半絶縁性ＧａＡｓ基板構造の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁
A diode/FET electrode 9 is formed between the diode electrode 8 and the FET gate electrode 5 on the upper surface side of the first GaAs layer 4.例文帳に追加
第１ＧａＡｓ層４の上面側にダイオード電極８とＦＥＴゲート電極５との間で形成されるダイオード／ＦＥＴ電極９が形成されている。 - 特許庁
To provide a power amplifier with a bias changeover switch employing a GaAs FET used at a microwave band.例文帳に追加
マイクロ波帯で使用するＧａＡｓＦＥＴを用いたバイアス切替スイッチ付き電力増幅装置を提供する。 - 特許庁
To compensate fluctuation when producing a differential amplifier composed of GaAs depletion field-effect transistors(FET).例文帳に追加
ＧａＡｓ系デプレッション電界効果トランジスタで構成される差動増幅器の製造時の上記変動を補償する。 - 特許庁
Improved is a switch circuit using the GaAs-FET switch having the low-speed tail part effect.例文帳に追加
低速尾部効果を有するＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路に改良を加えたものである。 - 特許庁
The capacitors 5a, 5b are then formed on a common GaAs substrate together with an FET, a resistant member and the like.例文帳に追加
そして、このキャパシタ５ａ，５ｂは、ＦＥＴ、抵抗部材等とともに、共通のＧａＡｓ基板上に形成されている。 - 特許庁
In an interstage matching circuit connected between a GaAs-FET Q1 of a first driving source and a GaAs-FET Q2 of a second drive source, an inductance L4 of microstrip lines is formed in a rectangular or circular island-like pattern.例文帳に追加
第１駆動源のＧａＡｓ−ＦＥＴＱ１と第２駆動源のＧａＡｓ−ＦＥＴＱ２の間に接続される段間整合回路において、マイクロストリップラインで形成したインダクタンスＬ４を角形または円形の島状のパターンとして形成した。 - 特許庁
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「GaAs-FET」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 29件
GaAs switches (MOS FET transistors) easily taking mutual synchronization for ON / OFF control are adopted for the main switching elements 22 to 31.例文帳に追加
主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁
The main switching elements 22 to 31 use GaAs switches (MOS FET transistors) which are easy to take mutual synchronization of ON/OFF control.例文帳に追加
主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁
As these main switching elements 22-31, there are employed GaAs switches (MOS-FET transistors) which are easy to synchronize mutually with the ON/OFF control.例文帳に追加
主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁
GaAs switches (MOS FET transistors) easily taking mutual synchronization of ON/OFF control are employed for the main switching elements 22 to 31.例文帳に追加
主スイッチング素子２２〜３１には、相互にＯＮ／ＯＦＦ制御の同期が取り易いＧａＡｓスイッチ（ＭＯＳ ＦＥＴトランジスタ）が使用される。 - 特許庁
Thus, the chip size can be further reduced, and a lower cost GaAs FET than that of a silicon semiconductor of an ultra-high frequency can be realized.例文帳に追加
これによりチップサイズを更に低減でき、超高周波のシリコン半導体のＦＥＴよりも安価なＧａＡｓＦＥＴを実現できる。 - 特許庁
To avoid an unstable operation due to a gate current of a switch IC employing a GaAs FET.例文帳に追加
ＧａＡｓ ＦＥＴを用いるスイッチＩＣのゲート電流による動作不安定を回避する小型のバイアス回路内蔵型スイッチＩＣを提供する。 - 特許庁
On the surface of a GaAs substrate 102, a recess 100 in which a source via hole region 106 is formed and an FET region 108 are formed.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板１０２表面には，ソースバイアホール領域１０６が内部に形成されたリセス１００とＦＥＴ領域１０８とが形成される。 - 特許庁
To provide a high frequency amplifier circuit which enables reduction in a drain bias current Idq of a GaAs FET comprising a high frequency amplifier at a high temperature.例文帳に追加
高周波増幅器をなすＧaＡs ＦＥＴに対する高温でのドレインバイアス電流Ｉdqを低減させることができる高周波増幅回路を得る。 - 特許庁
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