ge atomとは 意味・読み方・使い方

The Al alloy film for the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜用Ａｌ合金膜である。 - 特許庁

The Al alloy film directly connected to a transparent conductive film on a substrate of the display device has 0.05 to 0.5 atom% Ni, 0.4 to 1.5 atom% Ge, 0.05 to 0.3 atom% at least one element selected from a rare earth element group in total and ≤1.7 atom% sum total of Ni and Ge.例文帳に追加

表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 - 特許庁

The aluminum based alloy comprises, by atom, 0.2 to 1.0% Mg and 0.1 to 0.5% Ge, and has excellent age hardening speed properties and high temperature strength.例文帳に追加

Ｍｇ：０．２〜１．０ａｔ％，Ｇｅ：０．１〜０．５ａｔ％含有し、時効硬化速度性及び高温強度に優れていることを特徴とする。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

In the Cu-Ge target, there is a need of suppressing the mixing amounts of impurity elements other than Cu, Ge to ≤2 atom% for controlling the above intensity ratio to ≤1, therefore, it is produced by a powder sintering process.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 - 特許庁

The sputtering target material for forming the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

また、上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、Ｇｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。 - 特許庁

As a result, a range in which function as an SiGeC layer is enabled in a condition that a C atom is made to enter a lattice position is enlarged as far as a range in which Ge composition ratio is high.例文帳に追加

これにより、Ｃ原子が格子位置に入った状態でＳｉＧｅＣ層として機能しうる範囲がＧｅ組成率の高い範囲まで拡大する。 - 特許庁

To provide a polycrystalline film which acts as an SiGeC layer wherein a C atom is made to enter a lattice position in composition in which Ge composition ratio is high.例文帳に追加

Ｇｅ組成率が高い組成においてＣ原子を格子位置に入らせたＳｉＧｅＣ層として機能する多結晶膜，その製造方法等を提供する。 - 特許庁