graded gapとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor laser device having the buried-hetero structure is manufactured by burying both sides of a mesa structure by a Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and subsequently by a Ru-doped InGaP graded layer 303 whose composition is graded from InGaP to InP, and then, by a Ru-doped InP layer 304.例文帳に追加

埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。 - 特許庁

The graded layers 4 and 8 continuously increase in carrier density nearby the clad layers 3 and 9, so an energy band gap is deterred from being notched on their interfaces and a carrier can smoothly be injected into the active layer 6.例文帳に追加

グレーデッド層４，８のクラッド層３，９近傍において、キャリア濃度が連続的に増加しているので、これらの界面において、エネルギーバンドギャップにノッチが生じるのが抑制され、活性層６へのキャリアがスムーズに注入できる。 - 特許庁

The anti-freezing hardened body 1 is formed on the asphalt pavement body 2 as the surface layer part of the road or the like and made by filling the anti-freezing hardening material into the continuous gap of an open-graded asphalt mixture 3.例文帳に追加

本発明の凍結防止硬化体１は、アスファルト舗装体２の上に、道路等の表層部分として形成されるものであって、開粒度アスファルト混合物３の連続空隙内に凍結防止硬化材４を充填してなる。 - 特許庁

By providing the Ru-doped InGaP graded layer 303 between the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304, the Ru-doped InGaP wide-gap layer 302 and the Ru-doped InP layer 304 not lattice-matching with each other can be formed as a buried layer with excellent crystallinity.例文帳に追加

ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 - 特許庁

The optical modulator comprises: a first waveguide layer and a barrier layer; and a quantum well layer sandwiched between the first waveguide layer and the barrier layer, where the quantum well layer has a graded composition layer that varies the bandgap energy of the quantum well layer between the minimum bandgap energy and the band gap energy of at least one of the first waveguide layer and the barrier layer.例文帳に追加

本発明の光変調気は、第１の導波路層及び障壁層と、第１の導波路層と障壁層の間に挟まれている量子井戸層とからなり、量子井戸層が、最小のバンドギャップエネルギーと、第１の導波路層及び障壁層の少なくとも一つのバンドギャップエネルギーとの間で、バンドギャップエネルギーが変化する傾斜組成層を有することを特徴とする。 - 特許庁