grown transistorとは 意味・読み方・使い方

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure.例文帳に追加

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。 - 特許庁

To control the total thickness of the epitaxially grown layers of a GaN-based field effect transistor to ≤1 μm that is required to suppress the warpage of the epitaxially grown layers to ≤20 μm, and at the same time, to obtain sufficient device characteristics by using a low-temperature-deposited InGaN layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ低温堆積層を用いることにより、ＧａＮ系電界効果トランジスタのエピタキシャル層の総膜厚について、反り量を２０μｍ以下に抑えるのに必要な１μｍ以下にすることを実現可能とすると共に、充分なデバイス特性を得ること。 - 特許庁

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the field effect transistor includes at least steps of: forming the Si monocrystal thin film on the grown nitride series compound semiconductor layer; and oxidizing the Si monocrystal thin film for forming the gate insulating film 7 of the field effect transistor.例文帳に追加

及び成長した窒化物系化合物半導体層の表面にＳｉの単結晶薄膜を形成する工程と、該単結晶薄膜を酸化して前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜７を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

In the method for manufacturing Schottky barrier transistor, after a gate insulating film 30, a gate 60a, and a spacer 80a of a sidewall of the gate are formed on a substrate 1, a polycrystalline silicon layer 100 is grown on the gate by applying selective silicon growth, and a single crystal silicon layer is grown on a substrate 1.例文帳に追加

基板上１に、ゲート絶縁膜３０とゲート６０ａとゲート側壁のスペーサ８０ａを形成した後、選択的シリコン成長を適用してゲート上部に多結晶シリコン層１００を成長させ、基板上１には単結晶シリコン層を成長させるショットキー障壁トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor that requires no high-temperature heating treatment and is provided with an emitter wherein no oxide film exists on a boundary surface between a solid-phase grown amorphous silicon or a polycrystal silicon and a semiconductor layer for example.例文帳に追加

高温の熱処理を必要とせずに、例えば固相成長したアモルファスシリコン若しくは多結晶シリコンと半導体層との界面に酸化膜が存在しないエミッタを有するバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To enable a thermal oxide film optimal in thickness to be grown on the surface of a transistor gate of each circuit without a large number of additional processes in a semiconductor device mounted with both a microcontroller circuit and a flash memory circuit.例文帳に追加

マイクロコントローラー回路とフラッシュメモリー回路を同時に搭載する半導体装置において、著しい工程増加なしに、それぞれの回路のトランジスタゲート電極表面に、それぞれ最適な膜厚の熱酸化膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a laminate having a Heusler alloy epitaxial-grown on a semiconductor layer, and to provide semiconductor devices using the laminate having a Heusler alloy such as a spin MOS field-effect transistor and a tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

半導体層上にエピタキシャル成長したホイスラー合金を有する積層体、及び前記ホイスラー合金を有する積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子などの半導体装置を提供する。 - 特許庁