成長形トランジスタの英語

本発明は、半導体基板に形成されたソース領域とドレイン領域をそれぞれ選択エピタキシャル成長技術を用い成長させて形成したソース部とドレイン部とそれらの間に設けられたチャネル領域を備えたＭＯＳトランジスタを備え、前記選択エピタキシャル成長によって形成されたソース部とドレイン部の前記チャネル領域からの高さが異なることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor comprises a source part and a drain part formed by using a selective epitaxial growth technique in a source region and a drain region, respectively, formed on a semiconductor substrate and a MOS transistor equipped with a channel region provided therebetween, wherein the height of the source part formed by the selective epitaxial growth from the channel region is different from that of the drain part. - 特許庁

基板上１に、ゲート絶縁膜３０とゲート６０ａとゲート側壁のスペーサ８０ａを形成した後、選択的シリコン成長を適用してゲート上部に多結晶シリコン層１００を成長させ、基板上１には単結晶シリコン層を成長させるショットキー障壁トランジスタの製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing Schottky barrier transistor, after a gate insulating film 30, a gate 60a, and a spacer 80a of a sidewall of the gate are formed on a substrate 1, a polycrystalline silicon layer 100 is grown on the gate by applying selective silicon growth, and a single crystal silicon layer is grown on a substrate 1. - 特許庁

及び成長した窒化物系化合物半導体層の表面にＳｉの単結晶薄膜を形成する工程と、該単結晶薄膜を酸化して前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜７を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。例文帳に追加

A method for manufacturing the field effect transistor includes at least steps of: forming the Si monocrystal thin film on the grown nitride series compound semiconductor layer; and oxidizing the Si monocrystal thin film for forming the gate insulating film 7 of the field effect transistor. - 特許庁

ゲートドライバ２１およびソースドライバ２２に設けられている各トランジスタ２５・２６は、基板上にラテラル成長させて形成された結晶化半導体膜４１を含んで構成されている。例文帳に追加

Each of transistor 25, 26 provided to the gate driver 21 and the source driver 22 is structured to include a crystallized semiconductor film 41 formed on the substrate laterally grown. - 特許庁

ソースドライバ２２内に形成されているトランジスタ２６では、半導体膜４１内の結晶の成長方向Ｄ１に沿って、ソース電極４５およびドレイン電極４６が配置されている。例文帳に追加

A source electrode 45 and a drain electrode 46 in a transistor 26 formed in the source driver 22 are arranged along the growth direction D1 of the crystal in the semiconductor film 41. - 特許庁

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。例文帳に追加

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed. - 特許庁

一方、ゲートドライバ２１内に形成されているトランジスタ２５では、ソース電極４５およびドレイン電極４６の配置が成長方向Ｄ１に沿っているものと、沿っていないものとが混在している。例文帳に追加

At the same time, the source electrode 45 and the drain electrode 46 are arranged along or not along the growth direction D1 in the transistor 25 provided to the gate driver 21. - 特許庁

電解効果トランジスタ３３，３４はＳｉＯ_２層３２を還元してＳｉ半導体層を形成するか、ＳｉＯ_２層３２の上にＳｉ半導体層をエピタキシャル成長させて形成し、このＳｉ半導体層にソース、ゲート、ドレインの３電極を形成する。例文帳に追加

Electrolytic effect transistors 33, and 34 reduce the SiO_2 layer 32 to form an Si semiconductor layer, or an Si semiconductor layer on the SIO_2 layer 32 by epitaxial growth, and the three electrodes of a source, a gate and a drain are formed on the Si semiconductor layer. - 特許庁