成長形トランジスタの英語

選択成長層１５が表面に形成されたＰＭＯＳトランジスタのシリコン基板１１内のソース／ドレイン拡散層上に、ＰＭＯＳ用コンタクトホール２０を形成する。例文帳に追加

PMOS contact holes 20 are formed on the source/drain diffusion layer in a silicon substrate 11 of a PMOS transistor having a selective growth layer 15 formed on the surface. - 特許庁

キャッピング層のパターニングを通じてライン形態シードを形成して結晶化することにより、結晶が成長する位置及び方向を調節して素子特性を向上させ、均一な値を有する薄膜トランジスターを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor improved in element characteristics, and so having their uniform values by adjusting the position and direction of crystal growth by forming a seed in a line form for crystallization through the patterning of a capping layer. - 特許庁

ベース・エミッタをエピタキシャル成長により形成するバイポーラトランジスタにおいて、真性ベースを薄くして遮断周波数を向上すると同時に、厚い外部ベースを形成することでベース抵抗を低減する。例文帳に追加

To reduce the base resistance of a bipolar transistor which has a base and an emitter formed by epitaxial growth, by forming a thick external base while improving a cut-off frequency by making an intrinsic base thin. - 特許庁

多結晶シリコン部分４７ｂを堆積分離構造４６上から除去する平坦化工程を行なった後、エピタキシャル成長部分４７ａに形成されたチャネル領域を有する少なくとも１つのユニポーラトランジスタを形成する。例文帳に追加

After a flattening step of removing the polycrystal silicon 47b from the deposited isolation structure 46, at least one unipolar transistor including a channel region formed in the epitaxial growth 47a is formed. - 特許庁

半導体基板の上面全体に、導電型不純物を含むアモルファスシリコン膜を堆積し、半導体基板の結晶方位を受け継ぎながらアモルファスシリコン膜を固相エピタキシャル成長させてエレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層を形成し、この拡散層を用いてpMOSトランジスタとnMOSトランジスタを形成する。例文帳に追加

Over the entire topside of the semiconductor substrate, an amorphous silicon film containing conductive type impurities is deposited, an elevated source/drain diffusion layer is formed by solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon film, through succeeding to the crystal orientation of the semiconductor substrate, and a pMOS transistor and an nMOS transistor are formed by using this diffusion layer. - 特許庁

ソースドライバ２２内に形成されているトランジスタ２６では、半導体膜４１内の結晶の成長方向Ｄ１に沿って、ソース電極４５およびドレイン電極４６が配置されている。例文帳に追加

A source electrode 45 and a drain electrode 46 in a transistor 26 formed in the source driver 22 are arranged along the growth direction D1 of the crystal in the semiconductor film 41. - 特許庁

強誘電体キャパシタ１０２を有する半導体装置において、ＭＯＳトランジスタ２０に接続されたタングステン層３０を選択的成長法により形成する。例文帳に追加

In the semiconductor device having the ferroelectric capacitor 102, a tungsten layer 30 connected to an MOS (metal oxide semiconductor) transistor 20 is formed through the method of selective growth. - 特許庁

一方、ゲートドライバ２１内に形成されているトランジスタ２５では、ソース電極４５およびドレイン電極４６の配置が成長方向Ｄ１に沿っているものと、沿っていないものとが混在している。例文帳に追加

At the same time, the source electrode 45 and the drain electrode 46 are arranged along or not along the growth direction D1 in the transistor 25 provided to the gate driver 21. - 特許庁