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意味・対訳 増殖制限


JST科学技術用語日英対訳辞書での「growth limitation」の意味

growth limitation


「growth limitation」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 5



例文

To provide a growth retardant of a plant, hardly causing problems of remaining in the plant, and limitation to the combination with other agrochemicals.例文帳に追加

植物への残存性の問題や他の農薬との併用に制限を生ずることがない植物の矮化剤を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device for decreasing resistance at a channel portion and lowering a threshold voltage without an epitaxial growth process, limitation on a taper angle of a trench and limitation of a substrate.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程を必要とせず、またトレンチのテーパー角度および使用基板に制限されずに、チャネル部の抵抗を小さくするとともに、しきい値電圧を低くすることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, clouding of the transparent partition wall 21 due to solidification of evaporated gas can be prevented from being caused to solve conventional problems such that nonuniformity of single crystal properties and limitation with respect to the single crystal growth rate or growth are caused due to the clouding of the transparent partition wall 21.例文帳に追加

蒸発ガスの固化による透明隔壁21の曇りの発生を防止でき、よって従来問題となっていた透明隔壁の曇りに起因する結晶特性の不均一や育成速度、育成長の制限を解消することができる。 - 特許庁

Specific half-toning technology is proposed to achieve the reduction or limitation and by using an input density value of an image pixel to gradually increase, image dots are alternately added to both sides to produce a linear growth pattern in the predetermined direction.例文帳に追加

これを達成するために、特定のハーフトーン化技術を提案し、次第に増加する画像画素の入力密度値を用いて、両側に画像ドットを交互に加えることにより、所定方向に線形成長パターンを生成する。 - 特許庁

例文

To provide a single crystal-growing unit capable of growing a longer single crystal by inhibiting the growth of boundaries among multiple crystal particles, shortening an un-melted specimen part (a seed crystal), having less limitation in temperature gradient and capable of growing the single crystal at a sufficiently slow cooling rate and inhibiting a corrosion by the specimen, a reaction with the specimen and formation of an alloy.例文帳に追加

多結晶粒界の成長を抑制してより長い単結晶を成長させることができ、溶融させない試料部分(種結晶部分)を短くし、かつ温度勾配の制約が少なく、十分に遅い冷却速度で単結晶を成長させることができ、試料による腐食や試料との反応や合金形成を抑制することができる単結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

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