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growth latticeとは 意味・読み方・使い方
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「growth lattice」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 67件
The semiconductor low-temperature growth layer 14 includes a semiconductor which lattice-matches with the semiconductor layers 11, 12, 13, but does not lattice-match with the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体低温成長層14は、半導体層11、12、13と格子整合し半導体基板10と格子整合しない半導体を含む。 - 特許庁
To control the growth of a lattice body, formed from a lead-calcium alloy and prolong its service life.例文帳に追加
鉛−カルシウム系合金からなる格子体の伸びを抑制し、長寿命化を図る。 - 特許庁
To reduce the number of lattice defects in a semiconductor layer that is formed by epitaxial growth.例文帳に追加
エピタキシャル成長により形成される半導体層における格子欠陥数を低減する。 - 特許庁
By this, the degree of over-saturation of the carbon on the crystal growth surface is raised to generate excessive inter-lattice carbons on the surface in the middle of growth.例文帳に追加
このことで、結晶成長表面の炭素の過飽和度を上げ、成長途中の表面に過剰な格子間炭素を発生させる。 - 特許庁
In such an epitaxial growth process, lattice defects are formed previously by adding oxygen to a silicon film being oxidized.例文帳に追加
このようなエピタキシャル成長過程において、酸化させるシリコン膜に酸素を含有させることにより、予め格子欠陥を形成させる。 - 特許庁
Quantity of indium is increased during growth of the layer such that the final lattice constant becomes equal to that of an AlInGaP active layer.例文帳に追加
インジウムの量は、最終格子定数が望ましいAlInGaP活性層と等しくなるように層の成長中に増大される。 - 特許庁
To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant.例文帳に追加
格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
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「growth lattice」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 67件
To provide a vapor phase growth method for obtaining a boron phosphide based semiconductor layer having superior continuity on a crystalline substrate having a large degree of lattice mismatching.例文帳に追加
格子ミスマッチ度が大きな結晶基板上に、連続性に優れるリン化硼素系半導体層を得るための気相成長方法を提供する。 - 特許庁
The first torn surface 10C_2 has the crystal lattice plane of a material constituting the growth substrate 10 exposed thereon.例文帳に追加
第1割断面10C_2には、成長基板10を構成する材料の結晶格子面が露出している。 - 特許庁
Subsequently, Si is grown on the surface of the lattice relaxation layer 12 through epitaxial growth to form a strain Si layer 14 (S16).例文帳に追加
そして、前記格子緩和層12の表面に対しSiをエピタキシャル成長させることにより、歪Si層14を形成する(S16)。 - 特許庁
The boron phosphide buffer layer is amorphous through low temperature growth and it is desirable to eliminate lattice mismatching to substrate crystal.例文帳に追加
リン化硼素系緩衝層は、低温成長させた非晶質のものとし、基板結晶との格子不整合を解消させるのが好ましい。 - 特許庁
Since the titanium oxide is solid-solved in the crystal lattice and grain growth is facilitated, the sintered body texture is made uniform and good processability is provided.例文帳に追加
このように結晶格子中に酸化チタンが固溶し、粒成長が促進されているため、焼結体組織が均一になり、加工性が良好となる。 - 特許庁
The single crystal phosphor has the necessary lattice structure to promote single crystal growth of the light emitting structure of the LED device.例文帳に追加
この単結晶の燐光体は、LEDデバイスの発光構造の単結晶成長を促進するための必要な格子構造を有している。 - 特許庁
Thus, the difference in crystal lattice constants between the two layers is smaller, making the growth of p-type contact layer of satisfactory quality.例文帳に追加
よって、この2層間での結晶の格子定数の差が小さくなり、p型コンタクト層が良質に成長する様になった。 - 特許庁
The semiconductor mixed single crystal 13 is subjected to epitaxial growth to form the strained semiconductor single crystal D having a lattice constant (d) different from the lattice constant (c).例文帳に追加
次いで、半導体混晶単結晶13上にエピタキシャル成長を実施して、前記格子定数cと異なる格子定数dを有する、歪みが印加された半導体単結晶Dを形成する。 - 特許庁
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