「growth lattice」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Quantity of indium is increased during growth of the layer such that the final lattice constant becomes equal to that of an AlInGaP active layer.例文帳に追加

インジウムの量は、最終格子定数が望ましいＡｌＩｎＧａＰ活性層と等しくなるように層の成長中に増大される。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant.例文帳に追加

格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth method for obtaining a boron phosphide based semiconductor layer having superior continuity on a crystalline substrate having a large degree of lattice mismatching.例文帳に追加

格子ミスマッチ度が大きな結晶基板上に、連続性に優れるリン化硼素系半導体層を得るための気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The first torn surface 10C_2 has the crystal lattice plane of a material constituting the growth substrate 10 exposed thereon.例文帳に追加

第１割断面１０C_２には、成長基板１０を構成する材料の結晶格子面が露出している。 - 特許庁

Subsequently, Si is grown on the surface of the lattice relaxation layer 12 through epitaxial growth to form a strain Si layer 14 (S16).例文帳に追加

そして、前記格子緩和層１２の表面に対しＳｉをエピタキシャル成長させることにより、歪Ｓｉ層１４を形成する（Ｓ１６）。 - 特許庁

The boron phosphide buffer layer is amorphous through low temperature growth and it is desirable to eliminate lattice mismatching to substrate crystal.例文帳に追加

リン化硼素系緩衝層は、低温成長させた非晶質のものとし、基板結晶との格子不整合を解消させるのが好ましい。 - 特許庁

Since the titanium oxide is solid-solved in the crystal lattice and grain growth is facilitated, the sintered body texture is made uniform and good processability is provided.例文帳に追加

このように結晶格子中に酸化チタンが固溶し、粒成長が促進されているため、焼結体組織が均一になり、加工性が良好となる。 - 特許庁

The single crystal phosphor has the necessary lattice structure to promote single crystal growth of the light emitting structure of the LED device.例文帳に追加

この単結晶の燐光体は、ＬＥＤデバイスの発光構造の単結晶成長を促進するための必要な格子構造を有している。 - 特許庁

Thus, the difference in crystal lattice constants between the two layers is smaller, making the growth of p-type contact layer of satisfactory quality.例文帳に追加

よって、この２層間での結晶の格子定数の差が小さくなり、ｐ型コンタクト層が良質に成長する様になった。 - 特許庁

The semiconductor mixed single crystal 13 is subjected to epitaxial growth to form the strained semiconductor single crystal D having a lattice constant (d) different from the lattice constant (c).例文帳に追加

次いで、半導体混晶単結晶１３上にエピタキシャル成長を実施して、前記格子定数ｃと異なる格子定数ｄを有する、歪みが印加された半導体単結晶Ｄを形成する。 - 特許庁

Then, selective growth is started from the slant face, and a semiconductor crystal film 7 almost in lattice alignment with the semiconductor film 104 as with the desired lattice constant is formed.例文帳に追加

傾いた面から選択的に成長が発生して所望の格子定数の半導体膜１０４とほぼ格子整合した半導体結晶膜７が形成される。 - 特許庁

When the surface passes the lattice point by the growth and change of the material; a material inner information processor 20 computes the material inner information of the material inside, and stores the material inner information in the memory area of the corresponding lattice point.例文帳に追加

素材内部情報処理部２０は素材の成長変化により表面が格子点を通過した際に、素材内部の素材内部情報を算出し、素材内部情報を対応する格子点の記憶領域に格納する。 - 特許庁

As hetero-epitaxial growth layers are deposited simultaneously on the first and second main surface of the substrate, warpages caused by a difference in lattice constaints and heat expansion coefficients cancel each other, so that the high quality epitaxial growth layers 5a and 5b can be obtained.例文帳に追加

基板の第１及び第２主表面上で同時にヘテロエピタキシャル成長を行うことで、格子定数及び熱膨張係数の違いによって生ずる反りを打ち消し合い、良質なエピタキシャル成長層５ａ、５ｂを得る。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth apparatus which can accurately keep track of a temperature state on the surface of each substrate to control a growth temperature for film thickness distribution or lattice crystal, and to grow a high quality of uniform crystal.例文帳に追加

気相成長装置において、膜厚分布や格子結晶等、均一な高品質の結晶を成長させるための成長温度の制御のために、各基板表面の温度状態を正確に把握する。 - 特許庁

The function for increasing the strength of a coat is made strengthened by growing the (111) lattice plane of the coat of TiCON and by suppressing the growth of the (200) lattice plane, by functioning for remaining a compressive stress in the coat by making the crystal grain in an azimuthal plane less, consequently.例文帳に追加

ＴｉＣＮＯ被膜の（111）結晶面を成長させ，かつ（200）結晶面の成長を抑制させて，その方位面の結晶粒を小さくすることにより被膜に圧縮応力を残留させる作用をし，その結果，被膜の強度を高める作用が強くなったものである。 - 特許庁

To provide a method for reducing the lattice defects on an n-type nitride semiconductor layer and growing an n-type nitride semiconductor at the time of growing it on the surface of a substrate for which lattice coherence is not obtained by a vapor growth method such as MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To restrain a threading dislocation density from occurring in a growth layer even in a case in which a board and the growth layer are different from each other in characteristics (lattice constant, thermal expansion coefficient) or a case in which a board such as a sapphire board intrinsically high in dislocation density must be used.例文帳に追加

基板と成長層との特性（格子定数、熱膨張係数）が異なるケースやサファイア基板のように転位密度が元々高い基板を使用しなければならないケースであっても、成長層での貫通転位密度の発生を抑制する。 - 特許庁

An initial period growth layer containing an amorphous material and a lattice defect in the vicinity of the boundary between the magnetic recording layer and a base layer is reduced or eliminated by heating a substrate at 100 to 250°C before the magnetic recording layer is formed and satisfactory crystal growth is performed from the boundary.例文帳に追加

磁気記録層の形成前に１００〜２５０℃の範囲で基板加熱を行うことにより、磁気記録層における下地層との界面付近で非晶質や格子欠陥を含む初期成長層を低減若しくは無くし、該界面から良好な結晶成長を行う。 - 特許庁

After removing the respective portions of the growth layers 32-34 in the object region to be measured 41, the lattice constants of the semiconductor substrate 23 and growth layers 24-31 in the object region to be measured 41 are obtained, by using X-ray diffraction method.例文帳に追加

このように測定対象領域内４１で、前記成長層３２〜３４の各一部が除去された後、Ｘ線回折法によって、前記測定対象領域４１内の半導体基板２３および成長層２４〜３１の格子定数が求められる。 - 特許庁

As a result, the ratio of Ge atoms to all atoms on the outermost surface, where growth is proceeding, can be reduced and C atoms having low affinity with Ge atoms is rendered more likely to occupy lattice positions in the crystal.例文帳に追加

その結果、結晶が成長している最表面においてＧｅ原子の占める割合を少なくすることができ、Ｇｅ原子と相性の悪いＣ原子が、結晶の格子位置に入りやすくなる。 - 特許庁

To enable multilayer formation of a plurality of nitride compound semiconductor layers with lattice constant difference of a prescribed value or more in good crystallinity, and to restrain propagation of threading dislocation to an epitaxial growth direction.例文帳に追加

所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できること。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate of superior lattice constant of little dislocation or different polarity by forming fine unevenness in a substrate or forming a slender growth region in an inclined direction.例文帳に追加

基板への微小な凹凸の形成あるいは傾斜方向へ細長い成長領域を形成することで転位の少ない良好な格子定数または極性の異なる半導体多層基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has no distortion or defect such as lattice mismatch or crystal dislocation when crystal growth is made on a substrate, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

基板上に結晶を成長させる際、格子不整合や結晶の転位などの歪みや欠陥がない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The transition density induced due to a difference of crystal lattice between the board 1 and the semiconductor 3 is remarkably reduced, and a growth of the semiconductor 3 is improved.例文帳に追加

基板１とＡｌＧａＩｎＮ化合物半導体３との間の結晶格子の差により誘起する転位密度が著しく低下すると共に、ＡｌＧａＩｎＮ化合物半導体３の成長が向上する。 - 特許庁

To manufacture good quality silicon carbide bulk single crystal having no micro-pipe defect and a small number of lattice defects at a melt temperature of ≤2000°C and at a high growth rate.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥を含まない、格子欠陥の少ない良質な炭化珪素バルク単結晶を、２０００℃以下の融液温度で、高い成長速度で製造する。 - 特許庁

The semiconductor growth substrate is one in which the a-axis lattice constant of a ZrB_2 single crystal forming the substrate is 0.3169±0.001 nm.例文帳に追加

半導体層成長用基板は、前記半導体層成長用基板を形成するＺｒＢ_2単結晶の、ａ軸の格子定数を、０．３１６９±０．００１ｎｍとした。 - 特許庁

In order to alleviate temperature sensitivity, a processed growth layer having a lattice constant equal to or substantially equal to that of a desired AlInGaP layer is formed on a substrate.例文帳に追加

温度感受性を低減するために、望ましいＡｌＩｎＧａＰ層に等しいか又はほぼ等しい格子定数を有する加工した成長層が基板の上に形成される。 - 特許庁

To provide an improved method for growing a growth layer on a substrate where the thermal expansion coefficient and/or lattice constant of the layer is largely different from that of the substrate.例文帳に追加

基板上に、熱膨張係数及び／又は格子定数がその基板と大幅に相違する成長層を成長させるための改良された方法を提供すること。 - 特許庁

An n-type AlGaAs layer 14, a p-type AlGaAs layer 16, an n-type AlGaAs layer 18, and a p-type AlGaAs layer 20 are formed sequentially on the lattice mismatch relaxation layer 32 by epitaxial growth.例文帳に追加

格子不整合緩和層３２上に、エピタキシャル成長により、ｎ形ＡｌＧａＡｓ層１４，ｐ形ＡｌＧａＡｓ層１６，ｎ形ＡｌＧａＡｓ層１８，ｐ形ＡｌＧａＡｓ層２０が順次積層されている。 - 特許庁

To provide a sodium-chloride type transition metal carbide single crystal substrate that increases lattice matching property with a (0001) or (000-1) plane of a nitride semiconductor crystal such as GaN and that allows epitaxial growth of a nitride semiconductor crystal with little defect.例文帳に追加

GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。 - 特許庁

An In_x1Ga_1-x1As layer is grown on a GaAs substrate 101 as a first layer buffer layer 102, which has lattice mismatch within a range keeping two dimensional growth for a base.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に１層目のバッファ層１０２として下地に対し２次元成長を保つ範囲の格子不整合性を有するＩｎ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ａｓ層を成長させる。 - 特許庁

To provide a thin film laminate wherein a high quality epitaxial growth layer is formed on a substrate on which an epitaxial thin film does not grow usually due to a difference of lattice constants, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

格子定数の相違によって通常はエピタキシャル薄膜が成長しないような基板上に高品質のエピタキシャル成長層を形成した薄膜積層体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide-semiconductor light emitting element wherein the lattice strain of a ZnO-based semiconductor layer subjected to an epitaxial growth on a substrate is reduced, and it has a high reliability and light emitting efficiency.例文帳に追加

基板上にエピタキシャル成長されるＺｎＯ系半導体層の格子歪を低減し、高い信頼性と発光効率を有する酸化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor wafer capable of achieving the high-quality crystal growth of a single crystal nitride semiconductor while using a lattice mismatch substrate.例文帳に追加

格子不整合系基板を使用しながら、高品質な単結晶窒化物半導体の結晶成長を実現する半導体ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a halftone screen is Voronoi-sectioned into polygons each of which surrounds one of the lattice points (S35), and a threshold matrix is formed for making each halftone dot grow around the centroid of each polygon as the center of growth in a shape approximately similar to the polygon (S36).例文帳に追加

そして、ハーフトーンスクリーンを格子点を囲む多角形にボロノイ分割し(S35)、多角形の重心を成長中心として、多角形に略相似な形状で網点を成長させる閾値マトリクスを作成する(S36)。 - 特許庁

The growth rate of the intermediate layer 15 composed of the AlGaInP-based semiconductor is adjusted to ≤1 μm/h and, at the same time, the lattice matching rate Δa/a of the layer 15 with respect to GaAs is adjusted to ≥-3.2% and ≤-2.5%.例文帳に追加

上記ＡlＧaＩnＰ系半導体からなる中間層１５において、成長速度を１μｍ／ｈ以下とすると共に、ＧaＡsに対する格子整合率Δa／aをa−３.２％以上かつ−２.５％以下とする。 - 特許庁

Then, Voronoi polygons each of which includes the displaced dot-lattice point are generated (S25) and a threshold matrix is created for making each halftone dot grow around while taking the centroid of each Voronoi polygon as the center of growth in a shape approximately similar to the Voronoi polygon.例文帳に追加

そして、変位の後の網点格子点を含むボロノイ多角形を生成し(S25)、ボロノイ多角形の重心を成長中心として、ボロノイ多角形に略相似な形状で網点を成長させる閾値マトリクスを作成する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of crystal defects caused by lattice mismatching and strains caused by differences in thermal expansion in a method by which an SiC film is manufactured on an Si substrate through epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長させるＳｉＣ製造方法において、格子不整合による結晶欠陥発生および熱膨張差による歪みを抑制する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method of III-V compound semicon ductor, which makes vapor phase growth method of a semiconductor crystal layer closer to the lattice constant of an InP substrate more than that for one with GaAs substrate on the GaAs substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓ基板の格子定数よりもＩｎＰ基板の格子定数に近い半導体結晶層を気相成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長法をを提供する。 - 特許庁

The multiple layers (4, 5) of the metamorphic transition region (2) form a superlattice structure whose lattice constant changes along its growth direction from that of the supporting substrate (1), in the vicinity of the supporting substrate, to that of the device (3), in the vicinity of the device.例文帳に追加

変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 - 特許庁

A crystalline nucleus 14 of non-dislocation is subjected to heteroepitaxial growth on the main surface 12 of a substrate 10 so that it may be smaller than critical size wherein misfit dislocation occurs because of lattice mismatch.例文帳に追加

基板１０の主面１２に、格子不整合によりミスフィット転位が発生する臨界サイズより小さく、無転位の結晶核１４をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To constrain the nitriding of the front surface of a substrate which is composed of a diboride single crystal with high lattice matching with a gallium nitride-based compound semiconductor, provide 2-dimensional stratified growth from an early phase of growth, and control polarization from the early phase of growth, thereby reducing failure and growing up a gallium nitride-based compound semiconductor with excellent planarity, high quality, and low dislocation.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶から成る基板の表面の窒化を抑制し、成長初期から２次元の層状成長を実現し、また成長初期から極性を制御して、欠陥が低減され、平坦性に優れた高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること。 - 特許庁

Box bodies 1 are mutually integrally bonded by laying the upper edge parts of the box bodies 1 onto a lattice-like upper surface frame 2 formed of a vertical frame 2a and a horizontal frame 2b and parts opening so as not to inhibit growth of plants from the ground are surrounded with lines 5 for punching punched by pressing pressure in the lattice upper surface frame 2.例文帳に追加

枡体１を、縦枠２ａと横枠２ｂとで形成する格子状上面枠２に対して、当該枡体１の上縁部を連ならせることに依って互いに一体結合し、当該格子状上面枠２には、地中からの植物の伸長を阻害しないために開口する部分を、押圧力に依り打ち抜かれる打ち抜き用線５で囲繞する。 - 特許庁

To improve efficiency of a light-emitting device by improving crystallinity of another nitride semiconductor, growing on the surface of an n-type nitride semiconductor layer, by providing a method for growing the n-type nitride semiconductor layer with less lattice defects when the n-type nitride semiconductor layer grows on the surface of a lattice-mismatched substrate, with a vapor phase growth method, such as a MOVPE and MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にｎ型窒化物半導体を成長させる際に、ｎ型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、ｎ型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子の効率を向上させる。 - 特許庁

The seeding base body for creating a zostera marina zone has the following structure: a growth base material 2 comprising seeds or rhizomes of zostera marina is charged into a lattice-like bag body 1A; the seabed is exposed in a region where the seeding base body is laid via opening parts other than the lattice parts so as to make the rhizomes of the zostera marina horizontally extending from the seeding base body.例文帳に追加

格子状の袋体１Ａ内に、アマモの種子あるいはアマモの地下茎を含む生育基盤材２を充填したアマモ場造成用播種基体とし、播種基体敷設範囲内に、格子残部間の開口部を介して海底を露出させ、播種基体から横方向に伸びるアマモの地下茎が海底に着定しやすくする。 - 特許庁