high rate sputteringとは 意味・読み方・使い方

The sputtering apparatus 10 is operated in a transition area mode for performing the sputtering at high speed in an atmosphere containing gaseous oxygen by changing the introduction ratio of a sputtering gas to the gaseous oxygen by a flow rate controller 13.例文帳に追加

スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。 - 特許庁

The scan film deposition is carried out while the gas flow rate of the first gas with a low sputtering rate is always increased, and the gas flow rate of the second gas with a high sputtering rate is always reduced correspondingly to the secular change of the target shape caused by the erosion of the target 5, thus a film thickness change is prevented.例文帳に追加

ターゲット５のエロージョンに起因するターゲット形状の経時変化に対応させて、スパッタレートの小さい第１のガスのガス流量を常に増加させ、スパッタレートの大きい第２のガスのガス流量を常に減少させながらスキャン成膜を行うことで、膜厚変化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a high frequency sputtering device by which the sputtering rate is stabilized and capable of forming a thin film whose film thickness is controlled with high precision as to a high frequency sputtering device forming a dielectric thin film of oxide, nitride or the like on the object to be treated.例文帳に追加

本発明は、被処理物上に酸化物、窒化物等の誘電体薄膜を形成する高周波スパッタリング装置に関し、特にスパッタレートを安定化し、高精度に膜厚を制御した薄膜を形成可能な高周波スパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of forming a film of uniform thickness at a high rate within a surface of a work.例文帳に追加

被処理物の表面内において、均一な厚さの成膜を高いレートで行うことができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

When the ITO film of the pixel electrode 9a is formed, the target is not changed between in a first sputtering step ST1 and in a second sputtering step ST2 but the oxygen gas flow rate ratio in the second sputtering step ST2 is set high.例文帳に追加

かかる画素電極９ａは、ＩＴＯ膜を成膜する際、第１スパッタ工程ＳＴ１と第２スパッタ工程ＳＴ２との間でターゲットを変えず、第２スパッタ工程ＳＴ２での酸素ガス流量比を大に設定する。 - 特許庁

To provide a sputtering method which can provide a high sputtering rate and achieve high mass-productivity when forming a film containing a highly volatile substance such as Li on a substrate S to be treated, while preventing the film from being damaged.例文帳に追加

被処理基板Ｓに、Ｌｉ等を含有する高揮発性膜を形成する場合に、当該膜へのダメージを防止しつつ、高いスパッタレートが得られ、高い量産性が達成できるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film.例文帳に追加

スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。 - 特許庁