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im bとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 絶縁性磁気ブラシ現像
「im b」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
An output image (noise-reduced current frame image) IM_O is obtained by mixing the images IM_A and IM_C using a feedback coefficient k corresponding to a difference between the images IM_A and IM_B.例文帳に追加
画像IM_A及びIM_B間の差分に応じた帰還係数kを用いて画像IM_A及びIM_Cを混合することで出力画像(ノイズ低減済みの現フレーム画像)IM_Oを得る。 - 特許庁
Index marks IM are imparted in many print sheets in respective jobs D, C, B, and A.例文帳に追加
各ジョブD,C,B,Aにおいて、多数のプリントシートにおいてはインデッスクマークIMを付与する。 - 特許庁
In addition, in order to surely inject the tunnel current Im into the base electrode B of the transistor 11, an array of the transistor 11 and trigger element is formed by providing a low-resistance layer in a semiconductor substrate.例文帳に追加
また、確実に、トンネル電流Imを寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに注入するため、半導体基板内に低抵抗層を設けること、寄生バイポーラトランジスタ11とトリガ素子との配列を工夫することを提案する。 - 特許庁
Thereafter, plural target pixels are set in a previous frame image IM_B for an attention pixel in a current frame image IM_A, and for each target pixel, a similarity coefficient corresponding to a difference between a pixel signal of the attention pixel and a pixel signal of the target pixel is set.例文帳に追加
その後、現フレーム画像IM_Aの注目画素に対して前フレーム画像IM_B内に複数の対象画素を設定し、対象画素ごとに注目画素の画素信号と対象画素の画素信号との差分に応じた類似係数を設定する。 - 特許庁
Also, to surely inject a tunnel current Im to the base electrode B of the parasitic bipolar transistor 11, a low-resistance layer is provided in a semiconductor substrate, and the alignment of the parasitic bipolar transistor 11 and the trigger element are devised.例文帳に追加
また、確実に、トンネル電流Imを寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに注入するため、半導体基板内に低抵抗層を設けること、寄生バイポーラトランジスタ11とトリガ素子との配列を工夫することを提案する。 - 特許庁
The base potential of a parasitic bipolar transistor 11 is quickly raised by supplementarily injecting charges generated by static electricity into the base electrode B of the transistor 11, by using the tunnel current Im of an MOS element by mainly using the MOS element as a trigger element.例文帳に追加
トリガ素子として主にMOS素子を用いて、静電気によって生じた電荷を前記MOS素子のトンネル電流Imにより寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに補助的に注入することにより、寄生バイポーラトランジスタ11のベース電位を素早く上昇させる。 - 特許庁
The coefficient updating unit 14 changes the directivity pattern of the antenna elements 10A and B to another pattern having a null point in a direction other than a direction before directivity pattern change, with the occurrence detection of the IM block by the IM block detection unit 17 as a trigger.例文帳に追加
係数更新部14は、IM妨害検出部17によるIM妨害の発生検出を契機として、アンテナ素子10A及びBの指向性パターンを変更前とは異なる方向にヌル点を有する他のパターンに変更する。 - 特許庁
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「im b」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
A MOS element is used mainly as a triggering element, and a charge generated by static electricity is injected to a base electrode B of a parasitic bipolar transistor 11 by at tunnel current Im of the MOS element as a support, thus rapidly increasing the base potential of the parasitic bipolar transistor 11.例文帳に追加
トリガ素子として主にMOS素子を用いて、静電気によって生じた電荷を前記MOS素子のトンネル電流Imにより寄生バイポーラトランジスタ11のベース電極Bに補助的に注入することにより、寄生バイポーラトランジスタ11のベース電位を素早く上昇させる。 - 特許庁
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