implantation technologyとは 意味・読み方・使い方

THIN-FILM FABRICATION TECHNOLOGY FOR IMPLANTATION ELECTRODE例文帳に追加

埋植型電極のための薄膜製作技術 - 特許庁

To provide a technology capable of suppressing cross contamination during ion implantation.例文帳に追加

イオン注入時にクロスコンタミネーションを抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁

From the upper part side of a silicon substrate 2, a p-type impurity such as boron is implanted by using a technology of implantation.例文帳に追加

シリコン基板２の上方側からインプランテーション技術によりボロン等のｐ型の不純物を導入する。 - 特許庁

To flatten a stripped surface without deteriorating uniformity in the film thickness of a stripped semiconductor layer in a substrate stripping technology involving ion implantation.例文帳に追加

イオン注入による基板剥離技術において、剥離半導体層の膜厚均一性を悪化させることなく剥離面の平坦化を実施すること。 - 特許庁

A resist mask with a part of a silicon core 132 exposed therefrom is formed, and then, by an ion implantation technology using the resist mask as a mask, a p-type impurity is implanted into a part of the silicon core 132 to form a p-type silicon core 132a on an oxide silicon layer 102.例文帳に追加

一部のシリコンコア１３２が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア１３２にｐ型不純物を導入し、酸化シリコン層１０２の上に、ｐ型シリコンコア１３２ａを形成する。 - 特許庁

Consequently, the Gunn diode GD and the Schottky diode SD can be integrated on the same substrate by a process requiring no heat treatment (annealing) of high temperature (600°C) without utilizing a conventional ion implantation technology or the contact layer of IMPATT diode.例文帳に追加

したがって、従来のようなイオン注入技術やＩＭＰＡＴＴダイオードのコンタクト層を利用することなく、高温(６００℃)な熱処理(アニール)が不必要なプロセスで、ガンダイオードＧＤとショットキーダイオードＳＤとを同一基板上に集積できる。 - 特許庁

A high resistance region 111 where a valid conduction rate of an upper clad layer 106 is partially dropped (valid resistance rate is improved) by using ion implantation technology is arranged in the upper clad layer 106 in a side of a laser region (light emitting region) 107 of the separation region 110.例文帳に追加

分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 - 特許庁