implanted siliconとは 意味・読み方・使い方

The implanted dopant has a first dopant profile 305 in the silicon layer.例文帳に追加

注入されたドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル305を有する。 - 特許庁

Impurity ions 6 are implanted into the surface of the silicon substrate 1 through the intermediary of the silicon nitride film 16.例文帳に追加

そして不純物イオン６をシリコン窒化膜１６を介してシリコン基板１の主面にイオン注入する。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

The substrate for temperature measurements is provided with a p-type silicon substrate to which phosphorus is implanted.例文帳に追加

温度測定用基板は、リンが注入されたｐ型シリコン基板を備える。 - 特許庁

To enhance activation rate of an impurity implanted into a silicon carbide semiconductor.例文帳に追加

炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor element comprise the steps of generating silicon(Si) holes near an impurity ion implanted region, and reducing Si interstitial atoms.例文帳に追加

不純物イオン注入領域近傍にシリコン（Ｓｉ）空孔を生成させ、Ｓｉ格子間原子を減少させる。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層にＰを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。 - 特許庁