「implanted silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Ions 15 are implanted upwards onto a silicon nitride film 2 into a polycrystalline silicon layer 3 to obtain an ion-implanted polycrystalline silicon layer 16.例文帳に追加

多結晶シリコン層３に対しシリコン窒化膜２越しに上方からイオン１５を注入することにより、イオン注入多結晶シリコン層１６を得る。 - 特許庁

Ions are implanted in a surface portion of a silicon substrate to make it amorphous.例文帳に追加

シリコン基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。 - 特許庁

The implanted dopant has a first dopant profile 305 in the silicon layer.例文帳に追加

注入されたドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル305を有する。 - 特許庁

Impurity ions 6 are implanted into the surface of the silicon substrate 1 through the intermediary of the silicon nitride film 16.例文帳に追加

そして不純物イオン６をシリコン窒化膜１６を介してシリコン基板１の主面にイオン注入する。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

The substrate for temperature measurements is provided with a p-type silicon substrate to which phosphorus is implanted.例文帳に追加

温度測定用基板は、リンが注入されたｐ型シリコン基板を備える。 - 特許庁

To enhance activation rate of an impurity implanted into a silicon carbide semiconductor.例文帳に追加

炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor element comprise the steps of generating silicon(Si) holes near an impurity ion implanted region, and reducing Si interstitial atoms.例文帳に追加

不純物イオン注入領域近傍にシリコン（Ｓｉ）空孔を生成させ、Ｓｉ格子間原子を減少させる。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

After P is selectively ion-implanted into the silicon germanium layer and properties of resistance to etching are given to the ion-implanted part of the silicon germanium layer, the part of the silicon germanium layer that is not ion-implanted is selectively removed by isotropic etching.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層にＰを選択的にイオン注入してイオン注入されていないシリコンゲルマニウム層部分に対してエッチング抵抗性を付与した後、シリコンゲルマニウム層のイオン注入されていない部分を選択的に等方性エッチング除去するパターニング方法。 - 特許庁

As a result, the impurities implanted to the silicon oxide layer 4 are passed through the additional silicon oxide layer 14, and solid layer diffusion of the impurities occurs in the silicon single-crystal layer 12.例文帳に追加

その結果、酸化シリコン層４に注入された不純物は、追加酸化シリコン層１４を貫通してシリコン単結晶層１２に固層拡散する。 - 特許庁

A silicon wafer for an active layer is implanted with hydrogen gas ions through an oxide film thus forming an ion implantation layer in silicon bulk.例文帳に追加

活性層用シリコンウェーハに酸化膜を介して水素ガスをイオン注入し、シリコンバルク中にイオン注入層を形成する。 - 特許庁

Nitrogen ions 15 are selectively implanted into a second region 11a of the silicon board 11, where a thin silicon oxide film is formed.例文帳に追加

薄いシリコン酸化膜が形成される第２の領域１１ａのシリコン基板１１に選択的に窒素イオン１５を注入する。 - 特許庁

The silicon is approximately uniformly implanted from the front surface of an AlN layer to the depth of 0.2μm.例文帳に追加

シリコンはＡｌＮ層の表面から０．２μｍの深さに渡ってほぼ均一に注入された。 - 特許庁

To improve the activation factor of an impurity implanted into silicon carbide through ion implantation.例文帳に追加

炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

OXYGEN ION IMPLANTATION DEVICE AND SILICON WAFER WITH IMPLANTED OXIDE FILM MANUFACTURED BY USING THE DEVICE例文帳に追加

酸素用イオン打込み装置及びこれを用いて作製された埋込み酸化膜付シリコンウエハ - 特許庁

To achieve a higher activation rate in an ion-implanted region of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置のイオン注入領域において更なる高活性率化を図る。 - 特許庁

Thus, the ions are not implanted into the silicon substrate 1 by penetrating through the gage electrode 3.例文帳に追加

よって、イオンがゲート電極３を突き抜けてシリコン基板１内に注入されることはない。 - 特許庁

To reduce crystal defects in a silicon layer under a BOX layer of an SIMOX (separation by implanted oxygen) wafer.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハのＢＯＸ層下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減すること。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁

Then, a first thermal treatment is carried out to remove interstitial silicon atoms which are generated when ions are implanted.例文帳に追加

次いで第一の熱処理を行い、イオン注入の際に生じた格子間シリコン原子を除去する。 - 特許庁

In the manufacturing process of an MOSFET formed of silicon carbide, silicon ions are implanted in an epitaxial layer 16 formed on a semiconductor layer 10, a portion of a silicon ion implanted region is thermally oxidized to form the gate oxide film 17.例文帳に追加

炭化珪素からなるＭＯＳＦＥＴの製造工程において、半導体層１０上に形成されたエピタキシャル層１６に対してシリコンイオン注入を行い、シリコンイオン注入領域の一部を熱酸化してゲート酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing an SIMOX wafer including a process of implanting oxygen ions into the silicon wafer and a process of annealing the silicon wafer into which the oxygen ions have been implanted, the amount of implanted oxygen ions is adjusted in accordance with temperature unevenness of the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハに酸素イオンを注入する工程と、酸素イオン注入したシリコンウェーハをアニールする工程とを有するＳＩＭＯＸウェーハの製造方法において、酸素イオン注入量を、シリコンウェーハの温度むらに応じて調整する。 - 特許庁

While a metallic element centered on VIII-group, such as Ni, is implanted selectively to an amorphous silicon film, a silicon film is crystallized through heating.例文帳に追加

非晶質珪素膜に選択的に８族を中心とした金属元素例えばＮｉを導入し、加熱により珪素膜を結晶化させる。 - 特許庁

Next, impurities are implanted from the surface of the silicon oxide layer 4, and an impurity high density content region is formed within the silicon oxide layer 4.例文帳に追加

次に、酸化シリコン層４の表面から不純物を注入し、酸化シリコン層４内に不純物高濃度含有領域を形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon film 13 is then deposited on the silicon oxide nitride film 12 and impurity ions are implanted in order to form a dual gate structure.例文帳に追加

シリコン酸窒化膜１２の上にアモルファスシリコン膜１３を堆積し、デュアルゲート構造を形成するための不純物イオンの注入を行なう。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device reducing the thickness reducing amount of an ion-implanted layer or an ion-implanted region.例文帳に追加

イオン注入された領域であるイオン注入層の厚みの除去量を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An embedded oxide film is formed within a silicon wafer 11 by implanting an oxygen ion in the silicon wafer 11, and heat treating the silicon wafer 11 after cleaning the oxygen-ion-implanted silicon wafer 11.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入し、この酸素イオンを注入したシリコンウェーハ１１を洗浄した後に、このシリコンウェーハ１１を熱処理することによりシリコンウェーハ１１の内部に埋込み酸化膜を形成する。 - 特許庁

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing.例文帳に追加

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

In the state that a silicon oxide film 20 and a silicon nitride film 21 are formed, p-type impurities 23_1, 23_2 are ion implanted from obliquely above of a Y direction.例文帳に追加

シリコン酸化膜２０及びシリコン窒化膜２１が形成されている状態で、ｐ型不純物２３_１，２３_２を、Ｙ方向の斜め上方からイオン注入する。 - 特許庁

For example, when the impurities are implanted into a silicon substrate, at least the extraction electrode and the ground electrode are made of silicon.例文帳に追加

例えば、シリコン基板に不純物を注入する場合は、少なくとも引き出し電極と接地電極はシリコンからなるイオン引き出し電極系とする。 - 特許庁

From the upper part side of a silicon substrate 2, a p-type impurity such as boron is implanted by using a technology of implantation.例文帳に追加

シリコン基板２の上方側からインプランテーション技術によりボロン等のｐ型の不純物を導入する。 - 特許庁

The method disclosed herein utilizes an FT-IR apparatus to calculate the difference between a spectrum waveform before oxygen ions are implanted to a silicon substrate and a spectrum waveform after the oxygen ions are implanted to the silicon substrate in terms of spectrums.例文帳に追加

このためモニターした以上の元素が半導体基板中に注入されてしまい、結果として最終的なＳＩＭＯＸ製品において所望のＢＯＸ層厚み及び活性層厚みが得られない等の問題の解決を図る。 - 特許庁

A first conductive silicon film 30 is deposited on a gate insulating film 23 formed on a silicon substrate 20, and impurity ions are implanted into the surface of the first conductive silicon film 30 (Fig.2(a)).例文帳に追加

シリコン基板２０上に形成したゲート絶縁膜２３上に第１の導電性シリコン膜３０を堆積し、第１の導電性シリコン膜３０の表面に不純物イオンを注入する（図２（ａ））。 - 特許庁

A silicon oxide film 30 and silicon nitride film 31 are formed on a silicon substrate 28, and with a resist pattern 32 as a mask, a channel region 25 of a transistor is ion-implanted for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

シリコン基板２８上にシリコン酸化膜３０、シリコン窒化膜３１を形成し、レジストパターン３２をマスクとしてトランジスタのチャネル領域２５にしきい値電圧調整用のイオン注入を行う。 - 特許庁

Ions are implanted using an L-shaped silicon nitride film 16 formed on the side of a gate electrode 3 and a silicon oxide film covering the silicon nitride film 16 as a mask to form source/drain regions 9.例文帳に追加

ゲート電極３の側面に形成されたＬ字型のシリコン窒化膜１６と、シリコン窒化膜１６を覆っていたシリコン酸化膜とをマスクとしてイオン注入を行ってソース／ドレイン９を形成する。 - 特許庁

After a nitride silicon film 9 covering an NMOS transistor 50A and a PMOS transistor 50B on a silicon wafer 1 is formed, argon ions are implanted to the nitride silicon film 9 to relax its internal stress.例文帳に追加

シリコン基板１上のＮＭＯＳトランジスタ５０ＡとＰＭＯＳトランジスタ５０Ｂを覆う窒化シリコン膜９を形成した後、その窒化シリコン膜９にアルゴン・イオンを注入してその内部応力を緩和する。 - 特許庁

Then, the oxidation of the silicon is expedited by the implanted fluorine, and only the end of the gate insulating film is made larger in thickness.例文帳に追加

このとき、注入されたフッ素によりシリコンの酸化が促進され、ゲート絶縁膜の端部のみが厚膜化する。 - 特許庁

The additional implanted dopant has a second dopant profile 320 in the silicon layer different from the first dopant profile 310.例文帳に追加

注入された追加のドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル310とは異なる第２のドーパント・プロフィル320を有する。 - 特許庁

N-type dopants are ion-implanted into a portion of an n-type silicon substrate 1 where the charge transferring portion 5 is to be formed (b).例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。 - 特許庁

Impurities are implanted with prescribed intervals in a memory cell region of a silicon substrate, and a plurality of wells 36 are formed.例文帳に追加

シリコン基板３０のメモリセル領域に所定間隔を空けて不純物を注入し、複数のウェル３６を形成する。 - 特許庁

Silver is implanted into the silicon oxide film 110 with a negative ion implantation method in the implantation energy of about 30 keV.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１０中に、約３０ｋｅＶの注入エネルギーで、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

Fluorine ions are implanted into the surface of a silicon substrate 1 around a gate electrode in a PMOS forming region.例文帳に追加

ｐＭＯＳ形成領域におけるゲート電極周辺のシリコン基板１表面にフッ素イオンをイオン注入する。 - 特許庁

An organic SOG film 3 is formed on a silicon oxide film 2 and boron ions are implanted in the film 3.例文帳に追加

シリコン酸化膜２の上に有機ＳＯＧ膜３を形成し、有機ＳＯＧ膜３に対し、ホウ素イオンを注入する。 - 特許庁