in‐plane stressの英語

METHOD OF MANUFACTURING CHIP AND FET (TRANSISTOR HAVING DIELECTRIC STRESSOR ELEMENT FOR APPLYING IN-PLANE SHEAR STRESS)例文帳に追加

チップ、ＦＥＴ製造方法（面内剪断応力を加えるための誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ） - 特許庁

Stress of the brace member 1 is transmitted to the side faces 11, 12 of the steel pipe column 2 from the in-plane of the joint plate 13 through the splice plate 15.例文帳に追加

ブレース部材１の応力は、添接板１５を介して接合板１３の面内から鋼管柱２の側面１１、１２に伝達される。 - 特許庁

To provide a photomask blank comprising an optical film undergoing reduced stress and offering in-plane uniform optical properties.例文帳に追加

低応力で且つ高い面内均一性の光学特性の光学膜を備えたフォトマスクブランクを提供すること。 - 特許庁

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress.例文帳に追加

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。 - 特許庁

The temporary value of an in-plane stress is calculated by assuming a plane stress status in which a board thickness direction stress is 0 for each shell element (S512), and functions for approximately defining distribution in the board thickness direction of the board thickness direction stress are specified, based on the temporary value (S515).例文帳に追加

各シェル要素につき、板厚方向応力が０である平面応力状態を想定して面内応力の暫定値を算出し（Ｓ５１２）、その暫定値に基づき、板厚方向応力の板厚方向における分布を近似的に定義する関数を特定する（Ｓ５１５）。 - 特許庁

To provide a stress measuring method and a device of a goose neck capable of measuring accurately the stress state and a working moment of a goose neck part receiving simultaneously in-plane bending and out-of-plane bending.例文帳に追加

面内曲げ、及び面外曲げを同時に受ける曲管部の応力状態、及び作用モーメントを精度よく測定することができる曲管の応力測定方法及び装置を得る。 - 特許庁

The film deposition method includes: a stage of applying compressive stress to the in-plane direction of a substrate 30 by a substrate supporting part 20 supporting the substrate 30; and a stage of supplying film deposition particles to the substrate face of the substrate with the compressive stress applied thereto.例文帳に追加

基板３０を支持する基板支持部２０により前記基板の面内方向に圧縮応力を加える工程と、前記圧縮応力が加えられた前記基板の基板面に対し成膜粒子を供給する工程と、を有することを特徴とする成膜方法及び装置。 - 特許庁

The semiconductor layer has a larger thermal expansion coefficient than the light-transmitting layer, has a smaller lattice constant than the active layer, and has tensile stress in an in-plane direction.例文帳に追加

前記半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有する。 - 特許庁