stressorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ストレス要因、ストレッサー、侵襲要因
stressorの |
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stressorの学習レベル | レベル:13 |
「stressor」を含む例文一覧
該当件数 : 33件
STRESSOR FOR ENGINEERED STRAIN ON CHANNEL例文帳に追加
チャンネルに対して設計されたひずみを与えるストレッサー - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CHIP AND FET (TRANSISTOR HAVING DIELECTRIC STRESSOR ELEMENT)例文帳に追加
チップ、FET製造方法(誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ) - 特許庁
DUAL WORK FUNCTION DEVICE HAVING STRESSOR LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ストレッサ層を有するデュアル仕事関数デバイスおよびその製造方法 - 特許庁
It is also a way to learn if some unknown stressor is acting on a system.例文帳に追加
また,未知のストレッサーがある系に影響しているか否か知るための方法でもある。 - 英語論文検索例文集
To provide a semiconductor device having dielectric stressor elements and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
誘電体ストレッサ要素をもつ半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a stressor for engineered strain on a channel and a forming method thereof.例文帳に追加
チャネルに対して設計されたひずみを与えるストレッサー及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a transistor having a dielectric stressor for applying in-plane shear stress.例文帳に追加
面内剪断応力を加えるための誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタを提供すること。 - 特許庁
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「stressor」を含む例文一覧
該当件数 : 33件
To provide a method for forming an SiGe stressor, and to provide a transistor structure of an integrated circuit.例文帳に追加
SiGeストレッサの形成方法と集積回路のトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁
The stresses applied by the embedded dielectric stressor element and the surface dielectric stressor element collaborate in applying shearing stress to the channel region of the FET.例文帳に追加
埋込み誘電体ストレッサ要素及び表面誘電体ストレッサ要素によって加えられた応力が協働して、せん断応力をFETのチャネル領域に加える。 - 特許庁
TRANSISTOR HAVING DIELECTRIC STRESSOR ELEMENTS TO APPLY SHEARING STRESS AT DIFFERENT DEPTHS FROM SEMICONDUCTOR SURFACE例文帳に追加
せん断応力を加えるための、半導体表面から異なる深さに誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ - 特許庁
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND ITS TYPE, AND METHOD (STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING MULTILAYER EMBEDDED STRESSOR)例文帳に追加
半導体構造体およびその形式、方法(多層埋込みストレッサを形成するための構造および方法) - 特許庁
The surface dielectric stressor element extends from the main surface to a second depth substantially not deeper than the first depth.例文帳に追加
表面誘電体ストレッサ要素は、主面から第1の深さより実質的に深くない第2の深さまで延びる。 - 特許庁
Surface dielectric stressor elements are arranged adjacent to each other in the transverse direction in the active semiconductor region on the main surface of the active semiconductor region.例文帳に追加
表面誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の主面において該活性半導体領域に横方向に隣接して配置される。 - 特許庁
Each of the first and second dielectric stressor elements shares an edge with the active semiconductor region, and the edges extending in directions away from the upper surface.例文帳に追加
第1および第2の誘電体ストレッサ要素はそれぞれ活性半導体領域と縁を共有し、この縁は上面から遠ざかる方向に延びる。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CHIP AND FET (TRANSISTOR HAVING DIELECTRIC STRESSOR ELEMENT FOR APPLYING IN-PLANE SHEAR STRESS)例文帳に追加
チップ、FET製造方法(面内剪断応力を加えるための誘電体ストレッサ要素を有するトランジスタ) - 特許庁
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