stress orientationとは 意味・読み方・使い方

The compound of liquid crystal properties contained in the recording layer 4 is subjected to a slip stress by impressing pressure thereon in heating, so that the orientation thereof is regulated.例文帳に追加

記録層４に含まれている液晶性化合物は加熱下で圧力を印加してずれ応力をかけられ、配向を調整される。 - 特許庁

By this constitution, shearing stress is generated in the polymer 4 within the mold 7 and strong orientation is generated up to a core layer where no molecular orientation is generated usually in the polymer.例文帳に追加

これにより、成形金型７内のポリマー４に剪断応力が生じ、そのポリマー４において通常では分子配向が生じないコア層にまで強い分子配向が生じる。 - 特許庁

To provide a capacitor for ensuring a low leakage current and a higher dielectric constant wherein a substrate is resistive to high-temperature formation of a film of dielectric material, the dielectric material is in single axis orientation and in-plane orientation, and a compression stress is applied to a film.例文帳に追加

誘電体の高温成膜に耐える基板で、かつ誘電体が一軸配向及び面内配向し、圧縮応力がかかった膜とし、高誘電率化、低漏れ電流化を可能とするコンデンサを提供すること。 - 特許庁

To provide a liquid crystal alignment film composition with which a liquid crystal alignment film with good orientation can be provided with which the orientation can be held without oscillation of a thin film due to outer stress such as electric stress in a TFT-cell and to provide a liquid crystal alignment film and a liquid crystal cell.例文帳に追加

配向性に優れており、しかも、ＴＦＴ−セル（ＴＦＴ−ｃｅｌｌ）内において電気的なストレスなど外部ストレスに対して薄膜が揺れることなく配向が保持される液晶配向膜を提供することのできる液晶配向膜用組成物、液晶配向膜および液晶セル。 - 特許庁

A metal structure of a cubic crystal is irradiated with electron beams at an interval of 15 nm-100 μm to determine a crystal orientation at every measuring point by a back scattering electron diffraction image method, and lattice strain is determined from the determined crystal orientation distribution and the orientation angle difference between the adjacent measuring points to calculate the residual stress distribution on the metal structure on the basis of the lattice strain.例文帳に追加

立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。 - 特許庁

To provide an SOI (silicon on insulator) that applies an N-type FET with a tensile stress and a P-type FET with a compression stress, along with a LOCOS (selective oxidizing) on an HOT (hybrid orientation technology) semiconductor device and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴには引っ張り応力、Ｐ型ＦＥＴには圧縮応力を与えるＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）及びＨＯＴ（ハイブリッド配向技術）半導体装置上のＬＯＣＯＳ（選択酸化）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To derive accurately a stress without limiting the wavelength and the diffraction surface of an X-ray used for measurement, even when a material has orientation or elastic anisotropy.例文帳に追加

材料の配向性や弾性異方性がある場合においても、測定に用いるＸ線の波長と回折面を限定することなく、応力を精度良く導き出すことができるようにする。 - 特許庁

In the sheet material in which the fibers have the predetermined orientation angles, strength to tensile stress in a direction perpendicular to the thickness direction of the sheet material can be increased.例文帳に追加

このように繊維がシート材の厚み方向に対して、所定の配向角度を有するシート材では、厚み方向と垂直な方向の引張応力に対する強度を高めることができる。 - 特許庁