injection type laserとは 意味・読み方・使い方

Injection synchronous type discharging excitation laser equipment is composed of the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20 at which a resonator is arranged, wherein a unidirectional beam diffusion device 5 is prepared between the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20.例文帳に追加

狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と共振器を配置した増幅段レーザ（ＰＯ）２０とからなる注入同期式放電励起レーザ装置において、狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と増幅段レーザ（ＰＯ）２０の間に一方向ビーム発散装置５を設ける。 - 特許庁

In an injection synchronization type discharge-excited laser device comprising a narrow-band master oscillator laser (MO) 10 and a power oscillator laser (PO) 20 having an oscillator arranged therein, a beam line condensing device 5 is provided between the narrow-band master oscillator laser (MO) 10 and the power oscillator laser (PO) 20.例文帳に追加

狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と共振器を配置した増幅段レーザ（ＰＯ）２０とからなる注入同期式放電励起レーザ装置において、狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と増幅段レーザ（ＰＯ）２０の間にビーム線状集光装置５を設ける。 - 特許庁

To detect/determine a wavelength of a laser beam emitted from an external-resonator-type semiconductor laser using a simple structure, and furthermore suppress injection of laser light in an disabled mode.例文帳に追加

簡単な構造を用いて外部共振器型半導体レーザから射出されるレーザ光の波長を検出・判定し、さらに使用不可モードのレーザ光の射出を抑制する。 - 特許庁

INJECTION SYNCHRONIZATION TYPE DISCHARGE-EXCITED LASER DEVICE, AND SYNCHRONIZATION CONTROL METHOD IN THE SAME例文帳に追加

注入同期式放電励起レーザ装置及び注入同期式放電励起レーザ装置における同期制御方法 - 特許庁

To provide a semiconductor facet laser of a current injection type wherein oscillation threshold value is low and consumption power is small.例文帳に追加

発振閾値が低く、消費電力の少ない電流注入型半導体ファセットレーザを提供する。 - 特許庁

A current injection region 102 on an n-type InP substrate 101 is provided with a first laser active layer 103 and a second laser active layer 104 while a first current constriction layer 107 and a second lamp bulb constriction layer 108 are equipped around the current injection region 102.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上の電流注入領域１０２は、第１のレーザの活性層１０３と第２のレーザの活性層１０４を備え、その周囲には、第１の電流狭窄層１０７および第２の電球狭窄層１０８を備える。 - 特許庁

A distribution Bragg reflection type laser is formed wherein the active region generates a laser optical signal by turning on and off current injection into the active region.例文帳に追加

前記活性領域の長さは１０乃至１００μｍとし、前記活性領域への電流注入のオン・オフにより、レーザ光信号を発生させる活性領域の分布ブラッグ反射型レーザを構成する。 - 特許庁

To provide an end face non-injection type semiconductor laser which increases an end face destruction level and improves long-term reliability, and a production method for the same with which such a semiconductor laser can be prepared with high productivity.例文帳に追加

端面破壊レベルが高く、長期信頼性に優れた端面非注入型半導体レーザ、及び、この半導体レーザを生産性良く作成出来る半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁