integrated optic deviceとは 意味・読み方・使い方

The electro-optic device 440B and the projection lens 445 are integrated by the connection of the first base 4461 and the second base 4462 to the flange part 4452.例文帳に追加

電気光学装置４４０Ｂおよび投射レンズ４４５は、フランジ部４４５２に対して第１台座４４６１および第２台座４４６２が接続することで一体化する。 - 特許庁

This device 110 is arranged with electro-optic conversion elements 101 and 103 on the light transmission path 107 and optical paths converters for bending the direction of light are integrated into the light transmission path 107 right below the electro-optic conversion elements 101 and 103, by which the device is formed.例文帳に追加

アクティブ光配線装置１１０では、電気−光変換素子１０１、１０３が光伝送路１０７上に配置され、光の方向を折り曲げる光路変換器が電気−光変換素子１０１、１０３直下の光伝送路１０７中に集積されて形成されている。 - 特許庁

This electro-optic device further comprises a light-shielding film (400) formed in at least a part of a region present on the other surface of the flexible board (200) and opposed to the driving integrated circuit (300).例文帳に追加

電気光学装置は更に、フレキシブル基板（２００）の他方の面上における、駆動用集積回路（３００）に対向する領域の少なくとも一部に形成されている遮光膜（４００）を備える。 - 特許庁

The method is an inexpensive method for integrating a device group not adaptable each other in usual manufacture, the microchannel, microelectronic structure, for example, an electro-optic light source, and a detector or an MEMS device into one integrated structure.例文帳に追加

方法は、通常作製時に互いに適合しない装置群と、マイクロチャネルと、マイクロエレクトロニック構造、例えばエレクトロオプティック光源、検出器、もしくはＭＥＭＳ装置とを、１つの集積構造に集積する安価な方法を提供する。 - 特許庁

To provide the forming method of a semiconductor film comprising impurity with which a thin film constituting a thin film device is formed by a liquid droplet system using a liquid-like material and impurity atoms are especially diffused in the semiconductor film; and to provide a manufacturing method of a transistor, the transistor, an integrated circuit using the transistor, an electro-optic device, and an electronic apparatus.例文帳に追加

液状材料を用いた液滴吐出方式によって薄膜デバイスを構成する薄膜を形成し、特に半導体膜内に不純物原子を拡散させる不純物含有半導体膜の形成方法、トランジスタの製造方法、トランジスタ、トランジスタを用いた集積回路、電気光学装置及び電子機器を提供すること。 - 特許庁

A coplanar integrated optical waveguide electro-optical modulator comprises a substrate of an electro-optic material, at least two optical waveguides 41 and 42 integrated on a corresponding surface of the substrate, and electrode systems 80, 90 and 100 arranged on the surface for applying a modulating electric field to the waveguide suitable for causing a modulation of refractive index of the two waveguides in a device modulation region.例文帳に追加

コプレーナ型集積光導波路電気光学変調器は、電気光学材料の基板、基板表面の対応する位置で基板に集積された少なくとも２本の光導波路４１，４２及びデバイス変調領域５０において２本の導波路の屈折率変調を生じさせるに適する変調電場を導波路に印加するために表面に配置された電極系８０，９０，１００を備える。 - 特許庁