isolation diodeとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device 10 comprises an active element part, i.e., an SIThy 12, a rectifying section, i.e., a diode 14, and an isolation layer 16 for insulating the SIThy 12 from the diode 14.例文帳に追加

能動素子部であるＳＩＴｈｙ１２と、整流部であるダイオード１４と、前記ＳＩＴｈｙ１２とダイオード１４とを電気的に絶縁する分離層１６から半導体装置１０を構成する。 - 特許庁

To provide a pin diode switching circuit capable of being driven by the reverse bias voltage of a low voltage and to also provide the pin diode switching circuit and a pin diode switching method capable of preventing the isolation deterioration of the off side terminal of the pin diode switching circuit even when an RF signal of a high power is applied.例文帳に追加

低電圧の逆バイアス電圧でＰＩＮダイオードスイッチ回路を駆動できると共に、大電力のＲＦ信号が印加された時でもＰＩＮダイオードスイッチ回路のオフ側端子のアイソレーションの劣化を防ぐことができるＰＩＮダイオードスイッチ回路およびＰＩＮダイオードスイッチ方法を提供する。 - 特許庁

Element isolation between a cell region R1 and a diode forming region R2 is performed by a PN isolation portion composed of a p-type region 9b and an n-type region 8b disposed on an electric field relaxation region R3.例文帳に追加

電界緩和領域Ｒ３に備えたｐ型領域９ｂとｎ型領域８ｂとにより構成されるＰＮ分離部により、セル領域Ｒ１とダイオード形成領域Ｒ２の間の素子分離を行う。 - 特許庁

The present invention provides the semiconductor integrated circuit device, having the Schottky barrier diode in which contact electrodes 11 are arranged over a guard ring 9, in contact with a peripheral element isolation region.例文帳に追加

周辺の素子分離領域に接したガードリング９上に、コンタクト電極１１を配置したショットキー・バリア・ダイオードを有する半導体集積回路装置。 - 特許庁

It is further possible to prevent the isolation of the off side terminal from deteriorating in the same way even in the case of providing a plurality of pin diode circuit blocks on the off side.例文帳に追加

さらに複数のＰＩＮダイオード回路ブロックをオフ側に設けた場合であっても、同様にオフ側端子のアイソレーションを劣化させないことができる。 - 特許庁

In the semiconductor device composed of a semiconductor wafer 1, an element isolation region 3 formed on the surface of this semiconductor wafer, a complementary MIS transistor formed on the semiconductor wafer and a Schottky barrier diode formed inside a region, which is surrounded with the element isolation region, on the semiconductor wafer, Schottky junction 8a comprising the Schottky barrier diode is formed away from the element isolation region for a fixed distance.例文帳に追加

半導体基板１と、該半導体基板表面に形成された素子分離領域３と、前記半導体基板上に形成された相補型ＭＩＳトランジスタと、前記素子分離領域に囲まれた半導体基板上の領域内に形成されたショットキーバリアダイオードとからなり、該ショットキーバリアダイオードを構成するショットキー接合８ａが前記素子分離領域から一定距離離れて形成されてなる半導体装置。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 12, an isolation structure 70 and a lifetime control region 41 are formed between a diode drift region 28 and an IGBT drift region 50.例文帳に追加

半導体基板１２には、ダイオードドリフト領域２８とＩＧＢＴドリフト領域５０の間に、分離構造７０とライフタイム制御領域４１が形成されている。 - 特許庁

A rectifying/smoothing circuit that comprises a diode D102 and a field capacitor C103 rectifies/smoothes alternating voltage generated in secondary wiring of an isolation transformer T101.例文帳に追加

ダイオードＤ１０２および電界コンデンサＣ１０３により構成された平滑整流回路は、絶縁トランスＴ１０１の２次巻線に発生する交番電圧を平滑整流する。 - 特許庁