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kink modeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 キンクモード
「kink mode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
HIGH POWER, KINK-FREE, SINGLE MODE LASER DIODE例文帳に追加
高パワー、キンクフリー、単一モードレーザーダイオード - 特許庁
To improve a kink level by suppressing generation of a higher order lateral mode during high output.例文帳に追加
高出力時での高次横モードの発生を抑制しキンクレベルを改善できるようにする。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser having an improved kink level of L-I characteristics and capable of stably obtaining high output in the horizontal transverse mode.例文帳に追加
L−I特性のキンクレベルが向上し、水平横モードの安定した高出力を得ることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁
To provide a high-reliability semiconductor laser element, in which a kink level is improved by cutting of a primary transverse mode without making the ridge width narrow.例文帳に追加
リッジ幅を狭くすることなく、1次横モードをカットオフして、キンクレベルを向上させ、且つ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
Since the sub-mesa stripes (MS2) whose widths are narrower than the oscillation wavelength ahve almost no effect on lateral mode cutoff, there is almost no deterioration in kink level.例文帳に追加
発振波長よりも狭い幅の副メサストライプ部(MS2)は、横モードカットオフへの影響がほとんど無いので、キンクレベルの低下もほとんど無い。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser of high kink level by suppressing oscillation of high order mode without having any effect on the temperature characteristics or the radiation angle characteristics of the laser.例文帳に追加
レーザの温度特性や放射角といった特性に影響を与えることなく、高次モードの発振を抑制し、高いキンクレベルの半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser which has no kink of an I-L curve due to a change in a lateral mode, which does not increase the series resistance even by narrowing the width of a ridge, and which has a high output.例文帳に追加
横モードの変化によるI−Lカーブのキンクがなく、リッジの幅を狭くしてもシリーズ抵抗の増大が生じることのない高出力の半導体レーザを提供する。 - 特許庁
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「kink mode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
Since the thickness of the SiO_2 film and the Si film is set in such a way that the absorption coefficient in the basic horizontal and lateral mode is larger than that in the primary horizontal and lateral mode, the kink level is increased by suppressing the occurrence of a basic horizontal and lateral mode, Δn can be increased and θ_// can be broadened without narrowing the ridge.例文帳に追加
基本水平横モードの吸収係数が一次水平横モードの吸収係数より大きくなるように、SiO_2 膜及びSi膜の膜厚が設定されているので、リッジ幅を狭めることなく、高次水平横モードの発生を抑制してキンクレベルを高め、かつΔnを大きくして、θ_//を広くすることができる。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor device where usable maximum light output can be enhanced by increasing the kink level while suppressing the primary mode oscillation due to the increase of a current, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
電流増加に伴う一次モードの発振を抑制することで、キンクレベルを上昇させ、利用可能な最大光出力を向上させることを可能とした光半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the damage given to a semiconductor laser having a ridge optical waveguide, when gold wires are wire-bonded and to propagate the fundamental mode of the laser without cutoff, and in addition, to suppress the light output kink of a semiconductor laser module.例文帳に追加
リッジ型光導波路を有する半導体レーザにおいて、金線をワイヤボンドした際のダメージを低減すると共に、半導体レーザの基本モードをカットオフすることなく伝搬し、また、半導体レーザモジュールにおいて、光出力キンクを抑制することができるようにする。 - 特許庁
To reduce damage at the time of wire-bonding a gold wire and to propagate the fundamental mode of a semiconductor laser without cutting off, in a semiconductor laser having a ridge optical waveguide; and to suppress the light output kink in a semiconductor laser module.例文帳に追加
リッジ型光導波路を有する半導体レーザにおいて、金線をワイヤボンドした際のダメージを低減すると共に、半導体レーザの基本モードをカットオフすることなく伝搬し、また、半導体レーザモジュールにおいて光出力キンクを抑制し得るようにする。 - 特許庁
The method for determining the structure of the biomolecular target, such as nucleic acids, using mass spectrometry includes not only information regarding the nucleic acid, and the secondary dimensional and tertiary structure of RNA and DNA including not only the primary arrangement structure of nucleic acid targets, but also a pair of mismatched bases, loops, bulges, kinks, and system structures, which matches one mode.例文帳に追加
質量分析を用いた、核酸などの生体分子標的の構造を決定する方法であって、核酸標的の一次配列構造だけでなく、ミスマッチした塩基対、ループ、湾曲(bulge)、もつれ(kink)、およびシステム構造を含む、核酸、RNAおよびDNAの二次および三次構造に関する情報も含む。 - 特許庁
Since a three-dimensional waveguide path containing GeO2 having a high refractive index is formed on the side of a laminate 19 where laser beam is emitted, there is little reflection at an interface of the three-dimensional waveguide path, a side-mode suppression ratio can be made large and a laser oscillating device without a kink can be obtained.例文帳に追加
積層体19のレーザ発振光の出射される側に高屈折率のGeO_2 を含んだ3次元導波路を一体的に形成しているので、3次元導波路の界面での反射が少なく、サイドモード抑圧比を大きくとることができ、しかもキンク現象のないレーザ発振デバイスが得られる。 - 特許庁
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