laser beam lithographyとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for analyzing the distribution of a copolymer composition of a copolymer for a resist rapidly, simply and accurately in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等において、迅速、簡便、正確になレジスト用共重合体の共重合組成分布分析方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a (co)polymer for a resist giving high sensitivity and/or resolution, when used in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography or the like.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、高い感度および／または解像度が得られるレジスト用（共）重合体の提供。 - 特許庁

There are provided a laser that outputs a laser beam 106, a beam splitter 103 for dividing the laser beam 106 into a plurality of beams 107, and a prism 101 that forms interference fringes on a substrate by using the plurality of beams, wherein the resolution of a lithography system can be adjusted without exchanging each optical components, in an optical path of the lithography system.例文帳に追加

レーザビーム１０６を出力するレーザと、レーザビーム１０６を複数のビーム１０７に分割するビームスプリッタ１０３と、複数のビームを使用して基板上に干渉フリンジを形成するプリズム１０１とが設けられており、リソグラフィシステムの解像力が、リソグラフィシステムの光路におけるあらゆる光学コンポーネントを交換することなく調整可能である。 - 特許庁

To realize a stage mechanism for a laser beam machining apparatus with high positioning accuracy in machining an alignment mark or the like by a direct laser lithography or a direct laser machining on a glass substrate for a large display unit.例文帳に追加

大型ディスプレイ用のガラス基板にレーザ直接描画またはレーザ直接加工によりアライメントマークなどを加工するために、高い位置決め精度のレーザ加工装置用ステージ機構を実現する。 - 特許庁

To provide a laser processing apparatus in which a fine three- dimensional constructional body can be materialized in a simplified processing process without using a complicated processing process like a lithography process, and a laser beam processing method.例文帳に追加

リソグラフィープロセスのような複雑な加工プロセスを用いることなく、三次元の微細な構造体をシンプルで簡易な加工工程で実現できるレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a polymer for a resist slightly forming defects and microgel and having small line edge roughness when used as a resist resin in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography, etc., and a resist composition.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー、電子線リソグラフィー等においてレジスト樹脂として用いた場合に、ディフェクトおよびマイクロゲルの生成が少なく、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a copolymer for resist in which formation of micro-gel in a resist solution is suppressed and line edge roughness is small without impairing high sensitivity and resolving power of a resist when used for DUV excimer laser lithography, electron beam lithography, etc.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、レジストの高い感度および解像度が損なわれることなく、レジスト溶液中でのマイクロゲル生成が抑制され、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用共重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a pellicle for lithography that is suitable to be used for liquid immersion exposure type lithography selectively using only an oblique incident light component of incident laser beam and that has a transmittance for oblique incident light having an increased allowable range for lithographic operation.例文帳に追加

入射するレーザー光の斜入射成分のみを選択的に使用する液浸露光タイプのリソグラフィーに用いるのに最適な、斜入射光の光透過率がリソグラフィー操作にとって許容できる範囲を拡げたリソグラフィー用ペリクルを提供する。 - 特許庁