linear plasma sourceとは 意味・読み方・使い方

The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁

MICROWAVE ION SOURCE, LINEAR ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM FOR MEDICAL USE, HIGH ENERGY BEAM APPLICATION SYSTEM, NEUTRON GENERATING DEVICE, ION BEAM PROCESSING DEVICE, MICROWAVE PLASMA SOURCE, AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

マイクロ波イオン源、線形加速器システム、加速器システム、医療用加速器システム、高エネルギービーム応用装置、中性子発生装置、イオンビームプロセス装置、マイクロ波プラズマ源及びプラズマプロセス装置 - 特許庁

The plasma chemical vapor growth means performs film deposition to the film 3 by inductively coupled plasma generated by the plasma linear source 7, and, simultaneously with this film deposition, the ion etching treatment means performs ion etching treatment to the film 3 by ions from the ion etching roller 5.例文帳に追加

前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma source equipped with a ferrite structure in which the ferrite structure is installed in arch shape on a linear antenna of a built-in type inductively coupled plasma generating device and a field formed radially from the linear antenna can be concentrated on a treating substrate, and to provide a plasma generating device employing the same.例文帳に追加

内蔵型誘導結合プラズマ発生装置の線形アンテナ上にフェライト構造体をアーチ型に装着し、線形アンテナから放射状に形成されるフィールドを処理基板に集中させることができるフェライト構造体を備えるプラズマソース及びこれを採用するプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

The plasma etching system is provided with: a sensor 22 provided between a discharge electrode and a high frequency power source and measuring the higher harmonic component of the reactance in plasma; and a means 24 of calculating the end point time of etching corresponding to the average value of the high frequency component utilizing a prescribed linear function.例文帳に追加

プラズマエッチング装置は、放電電極及び高周波電源の間に設けられ、プラズマのリアクタンスの高調波成分を測定するセンサ２２と、所定の線形関数を利用して、前記高周波成分の平均値に対応するエッチングの終点時間を算出する手段２４とを備える。 - 特許庁

To provide a microwave ion source or a plasma source stabilizing beam current without precise magnetic field adjustment by reducing change of plasma density caused by change of strength of magnet field in axial direction or ion beam current, and to provide an application device utilizing the above devices such as a linear accelerator system, an accelerator system for medical use, or the like.例文帳に追加

軸方向磁場の強度変化によるプラズマ密度或いはイオンビーム電流の変化を低減し、精密な磁場調整なしでビーム電流を安定化するマイクロ波イオン源或いはプラズマ源と、それを利用した線形加速器システム、医療用加速器システム等の機器等の応用装置を提供する。 - 特許庁

The plasma source comprises a ferrite structure which concentrates a field formed radially from a roof type linear antenna in which one sides of a first antenna and a second antenna formed at the inner upper part in a reaction chamber are connected on a treating substrate direction which is arranged in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明によるプラズマソースは、反応チャンバの内側上部に形成された第１アンテナ及び第２アンテナの一側を連結したルーフ型線形アンテナから放射状に形成されたフィールドを前記反応チャンバ内部に配設された処理基板方向に集中させるフェライト構造体を含む。 - 特許庁