low‐power transistorsの英語

To integrate high-speed, low power-consumption transistors, in particular, field-effect transistors having strained Si for their channels, with a heterobipolar transistor.例文帳に追加

高速、低消費電力のトランジスタ、特にひずみＳｉをチャネルとして有する電界効果トランジスタ、およびヘテロバイポーラトランジスタを集積化することを目的とする。 - 特許庁

In a current regulating circuit 1, current I1 is regulated by using a low power supply voltage Vcc, and a current mirror circuit 6 to which the regulated current I1 is applied is constituted of low voltage MOS transistors 7 and 8 whose threshold voltage by which the transistors turn on is lower than that of a high voltage transistor.例文帳に追加

定電流発生回路１では、低電源電圧Ｖｃｃを用いて定電流Ｉ１を発生し、その定電流Ｉ１が供給されるカレントミラー回路６をトランジスタのオンする閾値電圧が高耐圧のトランジスタより低い低耐圧のＭＯＳトランジスタ７及び８で構成する。 - 特許庁

In the reflection type liquid crystal display device having a plurality of data line pairs consisting of two pieces of wiring each, scanning lines, and pixels, a pair of complementary inverters consisting of P-channel type thin film transistors and N-channel type thin film transistors is arranged for the pixels, to make the device to be of low power consumption.例文帳に追加

２本の配線でなるデータ線対と、走査線と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置において、画素には、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバータを１対設け、低消費電力とする。 - 特許庁

The amplifying elements Q1 and Q2 are composed of gallium arsenide field effect transistors or gallium arsenide high-electron- mobility transistors, the video signal amplifier which has excellent high-frequency characteristics and low power consumption thereby can be obtained because of high-electron-mobility characteristics that those elements have.例文帳に追加

増幅素子Ｑ１及びＱ２を、ガリウム砒素電界効果トランジスタ或いはガリウム砒素高電子移動度トランジスタで構成したことにより、これら素子のもつ高電子移動度特性により、高周波特性が良好でかつ低消費電力のビデオ信号増幅装置が得られる。 - 特許庁

Hence, the through current does not flow from a low power supply voltage terminal through the transistors Q21 and Q31 to a ground terminal, and the level shift circuit performs high speed operation with reduced power consumption.例文帳に追加

よって、低電源電圧端子から、トランジスタＱ２１およびトランジスタＱ３１を通して、接地端子へ貫通電流が流れることがなく、レベルシフト回路は低消費電力で高速動作が可能である。 - 特許庁

To provide a system LSI of high-speed, small area and low power consumption by reducing the number of offsets, variable notch widths and transistors at a variable delay circuit.例文帳に追加

可変遅延回路においてオフセット、可変刻み幅およびトランジスタ数を低減することによりシステムＬＳＩの高速化、小面積化および低電力化を図る。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having selective transistors with excellent cut-off characteristics and low power consumption while reducing a manufacturing cost.例文帳に追加

製造コストを抑制しつつも、カットオフ特性が良好な選択トランジスタを有し、且つ消費電力も小さい不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a short pulse generation circuit by combining two or less transistors and a delay circuit, having a high conversion efficiency of a pulse, and having a small circuit scale with a low power consumption.例文帳に追加

二つ以下のトランジスタと遅延回路とを組み合わせて、パルスの変換効率が高く、かつ低消費電力で回路規模の小さい短パルス発生回路を提供する。 - 特許庁