majority gateとは 意味・読み方・使い方

The MOSFET gate structure includes a gate dielectric on a substrate and a gate, where niobium monoxide occupies majority on the gate dielectric.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴゲート構造であって、基板の上のゲート誘電体と、該ゲート誘電体の上で一酸化ニオブが過半数を占めるゲートとを含む、ＭＯＳＦＥＴゲート構造である。 - 特許庁

The gate, where the majority is occupied by the niobium monoxide, may have a work function of about 4.1eV-about 4.4eV.例文帳に追加

一酸化ニオブが過半数を占めるゲートは、約４．１ｅＶ〜約４．４ｅＶの仕事関数を有していてもよい。 - 特許庁

In response to the application of the input pattern, a majority of the devices in the circuit have a substantially identical voltage at each of its terminals, i.e., a source, gate and drain terminal, thereby mitigating a gate leakage.例文帳に追加

入力パターンの印加に応答して、回路の過半数のデバイスは、その端子、すなわちソース、ゲートおよびドレイン端子の各々にほぼ同一の電圧を有することができ、それによってゲートリーケージを軽減する。 - 特許庁

A large scale ring oscillator 2 is formed on a gate array master chip 1 using a large majority of transistors out of all the transistors in a gate array, and the ring oscillator 2 is self-oscillated to detect its generated frequency.例文帳に追加

ゲートアレイマスタチップ１上にゲートアレイの全てのトランジスタの大多数を使って大規模リングオシレータ２を形成し、大規模リングオシレータ２を自己発振させて、その発振周波数を検出する。 - 特許庁

The comparison circuit 14 is provided with differential circuits D1 to D3, and 2-input NAND gates NAND 21 to NAND 23 and a 3-input NAND gate NAND 24 executes majority decision of output values of the differential circuits D1 to D3 and the comparison circuit 14 provides an output of the result of majority decision.例文帳に追加

比較回路１４には差動回路Ｄ１乃至Ｄ３を設け、２入力のナンドゲートＮＡＮＤ２１乃至ＮＡＮＤ２３及び３入力のナンドゲートＮＡＮＤ２４が、差動回路Ｄ１乃至Ｄ３の出力値の多数決をとって比較回路１４から出力するようにする。 - 特許庁

To use a metal gate electrode to prevent depletion of majority carriers and Fermi level pinning which will occur in a gate electrode made by using polysilicon or silicide, and to easily form the metal gate electrode for an n-type MOSFET and for a p-type MOSFET separately by a simple process, in manufacturing a semiconductor device including the n-type MOSFET and the p-type MOSFET.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置を作製する場合、ポリシリコンもしくはシリサイドを用いたゲート電極で発生する空乏化やフェルミレベルピンニングを抑止する為、メタルゲート電極を用い、しかも、ｎ型ＭＯＳＦＥＴとｐ型ＭＯＳＦＥＴの各メタルゲート電極を簡単な工程で、且つ、容易に作り分けることを可能にする。 - 特許庁

The second data state is written in by bringing the first source-drain 6 to a reference potential, applying a positive control voltage to the gate 5, applying a positive control voltage to the second source- drain 7, and discharging majority carriers from the channel body to the first source-drain 6.例文帳に追加

第２のデータ状態は、第１のソース／ドレイン６を基準電位とし、ゲート５に正の制御電圧を印加し、第２のソース／ドレイン７に正の制御電圧を印加して、チャネルボディの多数キャリアを第１のソース／ドレイン６に放出させることにより書き込まれる。 - 特許庁