majority elementとは 意味・読み方・使い方

Since the majority of light arriving at the reflecting member 53 is reflected by the reflecting member 53 in a direction different from the incident direction, the light being reflected to an infrared light receiving element 19b can be suppressed.例文帳に追加

従って、反射部材５３に到達した光の多くは反射部材５３によって入射方向と異なる方向に反射されるので、赤外光受光素子１９ｂへ反射する反射光を抑制できる。 - 特許庁

Further, the difference from the refractive index difference from the core is large, the majority of a light electric field is confined in the core layer, and mode overlap integration of signal light and control light becomes large, so the conversion efficiency of the wavelength conversion element can be increased.例文帳に追加

また、コアとの屈折率差が大きく、光電界の大部分はコア層に閉じ込められて、信号光と制御光のモードの重なり積分が大きくなるので、波長変換素子の変換効率を上げることができる。 - 特許庁

A sign of + or - of input sections of each of the elements 3a-3c depicts a coupling strength, the value received by each input section is multiplied with a value of the coupling strength and a result of the majority decision of the products after that is outputted to an element 2a of the output layer 2.例文帳に追加

各素子３ａ〜３ｃの入力部の＋及び−は結合強度を表し、各入力部に入力される値はその結合強度の値と掛け算され、その後多数決がとられたものが出力層２の素子２ａに出力される。 - 特許庁

A frequency of a qudrupole high-frequency magnetic field in the qudrupole electrode 4 is set at an integral multiple of a cyclotron frequency of a prescribed majority ion element other than the secondary ions, as an analytical object from among the secondary ions 3 scattered from the sample 1.例文帳に追加

さらに，四重極電極４における四重極高周波電場の周波数を，試料１から飛散する２次イオン３のうち，分析対象である２次イオン以外の所定の多数イオン元素のサイクロトロン周波数の整数倍とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device capable of ensuring stable element operation which can eliminate a failure by the non-continuation of a band based on a hetero structure, can quickly escape a majority carrier to a body contact electrode, and can improve the controllability of body potential by the suppression of a substrate floating effect.例文帳に追加

ヘテロ構造によるバンド不連続による不具合を解消することができ、多数キャリアをボディコンタクト電極に速やかに逃がすことができ、基板浮遊効果を抑制しボディ電位の制御性を改善した素子動作の安定した半導体装置を実現する。 - 特許庁

The motor-operated valve is configured such that during the normal flow, the fluid is made to flow only from between a main valve element 24 and an orifice 22a to perform flow rate control, and during the reverse flow, all or a majority of the fluid is made to flow to a bypass channel 70 without passing through the orifice 22a to decrease pressure loss as much as possible.例文帳に追加

正流れ時には、流量制御を行なうべく、流体を主弁体２４とオリフィス２２との間からのみ流し、逆流れ時には、圧力損失を可及的に低減すべく、流体の全部ないし大半を前記オリフィス２２ａを介することなくバイパス流路７０に流すように構成される。 - 特許庁

By forming a plurality of kinds of computing elements 115 and 116 in which the bit number of the operation is different from each other for each of the plurality of processor elements 104, a series of processing data externally input with various bit numbers are divided into the majority bit and the minority bit, and processed parallel for every processor element 104 by the computing elements 115 and 116.例文帳に追加

複数のプロセッサエレメント１０４ごとに演算処理のビット数が相互に相違する複数種類の演算器１１５，１１６を形成することにより、各種のビット数で外部入力される一連の処理データを多数ビットと少数ビットとに配分してプロセッサエレメント１０４ごとに演算器１１５，１１６で並列処理する。 - 特許庁

To solve the problem that since hydrogen in a radical state free from a hydrogen supply source, i.e., a protective film of silicon nitride is diffused isotropically during heat treatment for terminating dangling bond in a polysilicon semiconductor film, the majority of hydrogen is desorbed to the outside of a thin film semiconductor element to cause deterioration in the mobility or swing characteristics thereof due to the insufficient termination of the dangling bond.例文帳に追加

多結晶シリコン半導体膜中のダングリングボンドを終端することを目的とした熱処理時に水素の供給源である窒化珪素の保護膜から遊離したラジカル状態の水素が等方的に拡散するため、その多くが薄膜半導体素子の外へと脱離してしまい、ダングリングボンドの終端が不十分となり薄膜半導体素子の移動度やスイング特性が劣化する。 - 特許庁