metal-semiconductor interfaceとは 意味・読み方・使い方

This semiconductor device is provided with a semiconductor layer including N and Ga, a conductive layer ohmic-connected to the semiconductor layer, a metal distributed region existing on an interface between the semiconductor layer and the conductive layer with metal distributed, and a metal intrusion region wherein the atoms of the metal exist by entering the semiconductor layer.例文帳に追加

ＮおよびＧａを含む半導体層と、半導体層にオーミック接続される導電層と、半導体層と導電層との界面に金属が分布して存在する金属分布領域と、半導体層に金属の原子が侵入して存在する金属侵入領域と、を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

A metal layer is formed on a semiconductor transferred to a material with low heat conductivity and interface between the semiconductor and the metal layer is alloyed by irradiation with a laser beam of wavelength which at least one of the semiconductor and metal layer absorbs.例文帳に追加

熱伝導率が低い材料に転写された半導体上に金属層を形成し、半導体もしくは金属層の少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射してこれら半導体と金属層の界面を合金化する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an interface layer formed on the semiconductor substrate and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more; a metal semiconductor compound layer formed on the interface layer and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more in approximately whole region; and a metal electrode on the metal semiconductor compound layer.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The CPP structure has an interface (an interface group) comprising appropriately selected different materials (indicating general conductive materials such as a metal, a semiconductor and an alloy of them, etc.).例文帳に追加

このＣＰＰ構造部分は、適切に選択された異種材料（金属、半導体とその合金など、導電性物質一般を指す）からなる界面（界面群）を持っている。 - 特許庁

The film thickness of the metal silicide film 11 can be formed to be thick, such that a distance between an interface A comprising the metal silicide film 11 and the semiconductor substrate 1 and an interface B comprising a source-drain diffusion layer 8 and the semiconductor substrate 1 can be secured satisfactorily.例文帳に追加

金属シリサイド膜１１と半導体基板１からなる界面Ａと、ソースドレイン拡散層８と半導体基板１からなる界面Ｂとの距離が十分確保できるように、金属シリサイド膜１１の膜厚を厚く形成できる。 - 特許庁

To improve quality of an interface between a high dielectric gate insulating film and silicon substrate, thereby improving characteristics of MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。 - 特許庁

The metal layer 15 and p-type semiconductor region 13 are stacked to form an interface 17, thereby constituting a non-alloy electrode.例文帳に追加

金属層１５とｐ型半導体領域１３とは界面１７を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。 - 特許庁

The metal layer 15 and p-type semiconductor region 13 are stacked to form the interface 17, thereby constituting the non-alloy electrode.例文帳に追加

金属層１５とｐ型半導体領域１３とは、界面１７を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。 - 特許庁