metal-semiconductor interfaceとは 意味・読み方・使い方

A metal oxide film 2 with a metal element other than the components of a compound semiconductor 1 as a component is inserted into the interface between an insulation film 3 and the compound semiconductor 1 for composing this insulated gate compound semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型化合物半導体装置を構成する絶縁膜３と化合物半導体１との界面に、化合物半導体１の構成元素以外の金属元素を構成要素とする金属酸化膜２を挿入する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the transistor, a first interface reforming film 11 including a metal film or a semiconductor film is so formed on a substrate 10 as to form successively an insulation film 12 and a semiconductor film 13 on the first interface reforming film 11.例文帳に追加

基板１０上に、金属膜又は半導体膜を含む第１の界面改質膜１１を形成し、この第１の界面改質膜１１の上に絶縁膜１２，半導体膜１３を順に形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an interface layer formed on the semiconductor substrate and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more; a metal semiconductor compound layer formed on the interface layer and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more in approximately whole region; and a metal electrode on the metal semiconductor compound layer.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

An SPP wave which spreads along the interface of an insulating layer 14 and a metal stripe 15 generates a career in a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

絶縁層１４と金属ストライプ１５との界面を伝播するＳＰＰ波は、半導体基板１１でキャリアを発生させる。 - 特許庁

A cap layer can be provided on the interface between the directly coupled metal features of a semiconductor structure.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ間の境界面に、キャップ層を提供することができる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element, etc. in which the deterioration of an interface between a metal electrode layer and a transparent conductive layer is reduced to raise the quality.例文帳に追加

金属電極層と透光性導電層との界面の劣化を低減して品質を高めた窒化物半導体発光素子等を提供する。 - 特許庁

In a region including an interface between the second TCO film and p-type GaN-based semiconductor layer, a metal film is formed which comes into contact with the second TCO film.例文帳に追加

第２のＴＣＯ膜とｐ型ＧａＮ系半導体層との界面上を含む領域に、第２のＴＣＯ膜に接するメタル膜を形成する。 - 特許庁

The metal layer 15 and p-type semiconductor region 13 are stacked to form an interface 17, thereby constituting a non-alloy electrode.例文帳に追加

金属層１５とｐ型半導体領域１３とは界面１７を形成するように積層されてノンアロイ電極を構成する。 - 特許庁