mobility of factorsとは 意味・読み方・使い方

To solve the problem that a transistor suffers the variation caused in threshold voltage or mobility due to gathering of the factors of the variation in gate insulator film resulting from a difference in manufacture process or substrate used and of the variation in channel-region crystal state.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which solves a problem that a transistor suffers variation in threshold voltage or mobility due to a series of factors of the variation in a gate insulator film resulting from difference in a manufacture process or a substrate used and of the variation in a crystal state in channel-region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。 - 特許庁

To provide a technique for allowing smoother change of a compression ratio in a variable compression ratio internal combustion engine by canceling out various factors for deteriorating the mobility of a movable part of a variable compression ratio mechanism.例文帳に追加

可変圧縮比機構の可動部の運動性を損なう諸要因を相殺し、可変圧縮比内燃機関におけるより円滑な圧縮比の変更を可能とする技術を提供する。 - 特許庁

To provide highly reliable GaN based high electron mobility transistors (HEMTs) with high mass productivity by enhancing heat endurance of a source electrode and a drain electrode, and removing instability factors imposed on ohmic properties in the manufacturing process.例文帳に追加

本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。 - 特許庁

What may be cited as factors behind this situation include the relatively low labor mobility in Japan, particularly at large companies, and heavy dependence on in-house on-the-job training (OJT) for the development of human capital, and as a consequence of this, there is little need for clear-cut “ability-based criteria” for recruitment purposes.例文帳に追加

こうした背景としては、我が国において特に大企業分野における労働移動が少なく、人的資本形成も企業内のOJT（On the Job Training）に大きく依存してきたことや、その結果として求人に際して細かな「職能基準」が求められなかった経緯がある。 - 経済産業省

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁