n IIIとは 意味・読み方・使い方

To improve the characteristics of a semiconductor device using III-V compound mixed crystal semiconductor materials containing In and III group elements other than In and N, and V group elements other than N.例文帳に追加

InとIn以外のIII族元素、NとN以外のV族元素を含むIII−V族化合物混晶半導体材料を用いた半導体装置の特性を向上させる。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING FREE-STANDING III-N LAYER, AND FREE-STANDING III-N SUBSTRATE例文帳に追加

自立ＩＩＩ−Ｎ層の製造方法および自立ＩＩＩ−Ｎ基板 - 特許庁

Tests shall be performed based on Method N specified in UNRTDG Manual of Tests and Criteria III 33.3.1.4.6.例文帳に追加

試験法はUNRTDG Manual of Tests and Criteria Ⅲ 33.3.1.4.6に記載された方法Nによる。 - 経済産業省

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁