nitriding processingとは 意味・読み方・使い方

The temperature of the Ti substrate is changed diversely, and a plasma nitriding processing is carried out.例文帳に追加

そして、Ｔｉ基板の温度を種々に変更してプラズマ窒化処理を行った。 - 特許庁

Nitriding or carbonitriding processing, quenching, tempering and shot peening are sequentially performed.例文帳に追加

そして、窒化処理又は浸炭窒化処理，焼入れ，焼戻し，ショットピーニングが順次施されている。 - 特許庁

To provide a processing apparatus and a processing method which are excellent in uniformizing nitridation quantities among wafers in a plasma nitriding processing.例文帳に追加

プラズマ窒化処理においてウェハ間の窒化量を均一にする、優れた処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Here, the nitriding processing is carried out in the condition where the temperature distribution of the gas for nitriding is formed in the chamber 4 such that the desired distribution of the thickness of the nitride film is formed.例文帳に追加

このとき、所望の窒化膜の厚さの分布が形成されるように、チャンバ４内において窒化用ガスの温度分布が形成された状態で窒化処理を行う。 - 特許庁

Carbonitriding processing is applied to the rolling element 3, and a nitriding layer is formed on a rolling surface 3a.例文帳に追加

転動体３には浸炭窒化処理が施されていて、転動面３ａに窒化層が形成されている。 - 特許庁

As the result of examining the Ti substrate after the processing, it can be confirmed that the capability of the Ti substrate which is subjected to the plasma nitriding processing keeping 200°C is the best.例文帳に追加

処理後のＴｉ基板を調べた結果、２００℃に保ってプラズマ窒化処理を行ったＴｉ基板の性能が最も良かったことが確認できた。 - 特許庁

To provide a substrate processing device for manufacturing a semiconductor, having satisfactory electrical characteristics and a method for manufacturing a semiconductor by the substrate processing device in a nitriding process of a gate insulating film, and to provide a substrate processing device and a method for manufacturing the semiconductor, by the substrate processing device having a satisfactory production efficiency.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の窒化処理において、電気特性の良い半導体を製造する基板処理装置及び基板処理装置における半導体製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The wet process gas and a nitriding gas form a processing ambient gas which reacts with the substrate such that an oxynitride film grows on the substrate.例文帳に追加

湿式処理ガス及び窒化ガスは、基板上に酸窒化膜が成長するように、基板と反応する処理雰囲気を形成する。 - 特許庁