「nitriding processing」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The nitriding layer is formed by simultaneously carrying out a nitriding at the time of precipitation hardening processing.例文帳に追加

この窒化処理層は、析出硬化処理の際、同時に窒化処理を行うことによって形成される。 - 特許庁

NITRIDING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD例文帳に追加

窒化方法、半導体装置およびその製造方法、基板処理装置、基板処理方法 - 特許庁

The temperature of the Ti substrate is changed diversely, and a plasma nitriding processing is carried out.例文帳に追加

そして、Ｔｉ基板の温度を種々に変更してプラズマ窒化処理を行った。 - 特許庁

Nitriding or carbonitriding processing, quenching, tempering and shot peening are sequentially performed.例文帳に追加

そして、窒化処理又は浸炭窒化処理，焼入れ，焼戻し，ショットピーニングが順次施されている。 - 特許庁

To provide a processing apparatus and a processing method which are excellent in uniformizing nitridation quantities among wafers in a plasma nitriding processing.例文帳に追加

プラズマ窒化処理においてウェハ間の窒化量を均一にする、優れた処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Here, the nitriding processing is carried out in the condition where the temperature distribution of the gas for nitriding is formed in the chamber 4 such that the desired distribution of the thickness of the nitride film is formed.例文帳に追加

このとき、所望の窒化膜の厚さの分布が形成されるように、チャンバ４内において窒化用ガスの温度分布が形成された状態で窒化処理を行う。 - 特許庁

Carbonitriding processing is applied to the rolling element 3, and a nitriding layer is formed on a rolling surface 3a.例文帳に追加

転動体３には浸炭窒化処理が施されていて、転動面３ａに窒化層が形成されている。 - 特許庁

As the result of examining the Ti substrate after the processing, it can be confirmed that the capability of the Ti substrate which is subjected to the plasma nitriding processing keeping 200°C is the best.例文帳に追加

処理後のＴｉ基板を調べた結果、２００℃に保ってプラズマ窒化処理を行ったＴｉ基板の性能が最も良かったことが確認できた。 - 特許庁

To provide a substrate processing device for manufacturing a semiconductor, having satisfactory electrical characteristics and a method for manufacturing a semiconductor by the substrate processing device in a nitriding process of a gate insulating film, and to provide a substrate processing device and a method for manufacturing the semiconductor, by the substrate processing device having a satisfactory production efficiency.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の窒化処理において、電気特性の良い半導体を製造する基板処理装置及び基板処理装置における半導体製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The wet process gas and a nitriding gas form a processing ambient gas which reacts with the substrate such that an oxynitride film grows on the substrate.例文帳に追加

湿式処理ガス及び窒化ガスは、基板上に酸窒化膜が成長するように、基板と反応する処理雰囲気を形成する。 - 特許庁

To suppress metal contamination in a film deposition method for forming an oxynitride film by nitriding a silicon oxide film by remote plasma processing.例文帳に追加

シリコン酸化膜をリモートプラズマ処理により窒化して酸窒化膜を形成する成膜方法において、金属汚染を抑制する。 - 特許庁

It is restrained for species of oxygen upon forming the SiCO film to enter deeply by the CFN film obtained by a nitriding processing.例文帳に追加

窒化処理により得られるＣＦＮ膜により、ＳｉＣＯ成膜時の酸素の活性種が奥深く侵入することが抑えられる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device with the gate insulating film of the MOSFET includes the steps of forming a silicon oxide film, forming a silicon nitride film, applying nitriding processing to the silicon nitride film, and applying heat treatment to the silicon nitride film subjected to the nitriding processing in this order.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン酸化膜を形成する工程とシリコン窒化膜を形成する工程とシリコン窒化膜を窒化処理する工程と熱処理する工程を順に施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for nitriding a turbine blade capable of forming a nitride film with optional thickness distribution on the turbine blade with less thermal energy according to the purpose of processing.例文帳に追加

処理目的に応じて、タービン翼に任意の厚さ分布の窒化膜を少ない熱エネルギーで形成可能なタービン翼の窒化方法を提供する。 - 特許庁

In the plasma nitriding processing apparatus that nitrides a substrate having an insulating film, the wafer temperature is in-process monitored before starting the plasma nitiding processing, and the plasma nitriding time or process pressure is controlled by feeding the monitored value of the wafer temperature back to a CPU to enhance the uniformity of the nitridation quantities among the wafers.例文帳に追加

絶縁膜を有する基板を窒化するプラズマ窒化処理装置において、プラズマ窒化処理を開始する前にウェハ温度をインプロセスで計測し、該ウェハ温度の計測値をＣＰＵにフィードバックしてプラズマ窒化時間またはプロセス圧力を制御することにより、ウェハ間の窒化量の均一性を向上することができる。 - 特許庁

The oxygen element containing gas is added by placing an oxide solid such as a sheath 102 in a nitriding processing apparatus 100 and heating it together with the sapphire substrate.例文帳に追加

酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置１００の内部にさや１０２などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 - 特許庁

Then the nitriding is carried out to positively introduce nitrogen in the oxide film formed through the oxidation processing nearby the end of the gate electrode 5 and including the damage.例文帳に追加

その後、窒化処理を行うことにより、酸化処理によってゲート電極５端部付近に形成され、ダメージを含む酸化膜に積極的に窒素を導入する。 - 特許庁

A material of the fitting part socket 15 attached on the nut runner device 11 is chrome molybdenum steel, and a process for thermal processing is made by carbonitriding quenching and nitriding annealing (high temperature tempering) after carburizing.例文帳に追加

ナットランナ装置１１に装着された嵌合部ソケット１５の、 材質をクロムモリブデン鋼とし、 熱処理の工程を、浸炭後、浸炭窒化焼入れ、窒化焼戻し（高温戻し）とする。 - 特許庁

The nitrogen concentration of its surface is set at 0.2-2.0 mass% by carbonitriding processing or nitriding processing, and the area ratio of Si-Mn-based nitride including Si and Mn is set at 1%-less than 20%.例文帳に追加

又、浸炭窒化処理若しくは窒化処理によってその表面の窒素濃度を０．２〜２．０質量％とし、且つ、Ｓｉ及びＭｎを含有したＳｉ・Ｍｎ系窒化物の面積率を１％以上２０％未満とする。 - 特許庁

This hermetic compressor is provided with a compression element and a motor-driven element, a driving source of this compression element in a sealed vessel, and is characterized by forming a DLC-Si coating layer 14d by applying DLC-Si processing onto a nitriding diffusion layer 14c by forming the nitriding diffusion layer 14c on the vane 14 of the compression element by applying nitriding to a base material 14b.例文帳に追加

この発明に係る密閉形圧縮機は、密閉容器内に、圧縮要素と、この圧縮要素の駆動源となる電動要素とを有する密閉形圧縮機において、圧縮要素のベーン１４に、基材１４ｂに窒化処理を施して窒化拡散層１４ｃを形成し、さらに窒化拡散層１４ｃの上にＤＬＣ−Ｓｉ処理を施し、ＤＬＣ−Ｓｉコーティング層１４ｄを形成したことを特徴とする。 - 特許庁

To increase the nitriding rate of an oxide film while holding the inside of a processing chamber at a temperature of ≤800°C, and to suppress localization of nitrogen atoms nearby an interface between the oxide film and a substrate.例文帳に追加

処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

Ashape blank obtained from a steel material containing 3.2-5.0 mass% Cr and 0.05 to <0.5 mass% V is subjected to a carbo-nitriding treatment, a tempering-treatment at the temperature of >250°C and ≤300°C and a finish-processing.例文帳に追加

3.2〜5.0質量%のCrと、0.05質量%以上0.5質量%未満のVとを含有する鋼材から得られる素形材に浸炭窒化処理、250℃を超え、300℃以下の温度で加熱する焼もどし処理及び仕上げ加工を施す。 - 特許庁

Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.例文帳に追加

また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁

According to the nitriding method of the invention, the thickness of a compound layer can be reduced, and a sintered member with a proper contact pressure fatigue strength can be manufactured without applying processing such as void-sealing or pressing to a sintered material.例文帳に追加

本発明の窒化処理方法は、化合物層の厚さを薄くすることができ、焼結体に封孔処理やプレス等の処理を施すことなく、面圧疲労強度に優れた焼結部材を製造することができる。 - 特許庁

Subsequently, ALD processing is performed continuously on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film subjected to plasma nitriding so that the surface is not exposed to the atmosphere, and a silicon nitride film is deposited thereon (step S3).例文帳に追加

そして、プラズマ窒化処理後のシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面を大気に曝露させないようにプラズマ窒化処理に連続してＡＬＤ処理を施し、その上にシリコン窒化膜を堆積する（ステップＳ３）。 - 特許庁

a so that the outer ring 2, the inner ring 4, and balls 6 are made of a carburized material or bearing steel, strength of the outer ring 2, the inner ring 4, and the balls 6 are improved so that carbo-nitriding processing or processing of prior austenite crystal grains to the JIS grain size No. 10 or upper is applied to these materials.例文帳に追加

さらに、外輪２、内輪４及びボール６を、浸炭材又は軸受鋼で構成し、浸炭窒化処理又は旧オーステナイト結晶粒をＪＩＳ粒度Ｎｏ．１０番以上にする処理を施すことで、外輪２、内輪４及びボール６の強度を向上させる。 - 特許庁

At the time when gas including nitrogen is made to react to Fe particles and the Fe particles are nitrided to a particles principally with Fe_16N_2 phase, this magnetic powder can be obtained by processing this nitriding reaction under a pressurization of 0.1 MPa or more.例文帳に追加

この磁性粉末は，Ｆｅの粒子に窒素含有ガスを反応させてＦｅ_16Ｎ_2相を主相とする粒子に窒化するさいに，該窒化反応を０．１ＭＰａ以上の加圧下で進行させることによって得ることができる。 - 特許庁

Then a p-type semiconductor 25 projecting from the mask oxide film is polished to remove the mask oxide film, and then a surface layer of the parallel p-n structure is subjected to annealing processing in a non-oxidizing and a non-nitriding atmosphere to smooth the surface layer of the parallel p-n structure.例文帳に追加

次いで、マスク酸化膜より上に突出しているｐ型半導体２５を研磨し、マスク酸化膜を除去した後、並列ｐｎ構造の表面層に非酸化性および非窒化性雰囲気でアニール処理を行い、並列ｐｎ構造の表面層を平滑化する。 - 特許庁

Nitrogen is newly introduced in the gate insulating film 3 nearby an end of the gate electrode 5 by carrying out nitriding processing in an atmosphere containing nitrogen after a polysilicon film 4 is bonded onto the gate insulating film 3 and the gate electrode 5 is patterned in a pattern and before the source-drain region 9 is formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３上に、ポリシリコン膜４を被着してゲート電極５パターンにパターンニングした後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極５端部付近のゲート絶縁膜３中に新たに窒素を導入する。 - 特許庁

The system 21 for nitriding a silicon wafer comprises a processing container 24 for containing the silicon wafer 22 in the inner space 23, a means 25 for supplying NH_3 gas to the inner space 23, a means 27 for heating the silicon wafer 22, and a means 28 for irradiating UV-rays toward the inner space 23.例文帳に追加

シリコンウェハの窒化装置２１は、シリコンウェハ２２を内部空間２３に収容する処理容器２４と、内部空間２３にＮＨ_3ガスを供給するガス供給手段２５と、シリコンウェハ２２を加熱する加熱手段２７と、内部空間２３に向けて紫外線を照射する紫外線照射手段２８とを含んで構成される。 - 特許庁

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma.例文帳に追加

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加

半導体基板１を紫外光６，７を照射しながら一酸化二窒素３を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光７と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光６の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁