「"nitriding processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

It is restrained for species of oxygen upon forming the SiCO film to enter deeply by the CFN film obtained by a nitriding processing.例文帳に追加

窒化処理により得られるＣＦＮ膜により、ＳｉＣＯ成膜時の酸素の活性種が奥深く侵入することが抑えられる。 - 特許庁

To provide a processing apparatus and a processing method which are excellent in uniformizing nitridation quantities among wafers in a plasma nitriding processing.例文帳に追加

プラズマ窒化処理においてウェハ間の窒化量を均一にする、優れた処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device with the gate insulating film of the MOSFET includes the steps of forming a silicon oxide film, forming a silicon nitride film, applying nitriding processing to the silicon nitride film, and applying heat treatment to the silicon nitride film subjected to the nitriding processing in this order.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン酸化膜を形成する工程とシリコン窒化膜を形成する工程とシリコン窒化膜を窒化処理する工程と熱処理する工程を順に施すことを特徴とする。 - 特許庁

As the result of examining the Ti substrate after the processing, it can be confirmed that the capability of the Ti substrate which is subjected to the plasma nitriding processing keeping 200°C is the best.例文帳に追加

処理後のＴｉ基板を調べた結果、２００℃に保ってプラズマ窒化処理を行ったＴｉ基板の性能が最も良かったことが確認できた。 - 特許庁

The oxygen element containing gas is added by placing an oxide solid such as a sheath 102 in a nitriding processing apparatus 100 and heating it together with the sapphire substrate.例文帳に追加

酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置１００の内部にさや１０２などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 - 特許庁

Here, the nitriding processing is carried out in the condition where the temperature distribution of the gas for nitriding is formed in the chamber 4 such that the desired distribution of the thickness of the nitride film is formed.例文帳に追加

このとき、所望の窒化膜の厚さの分布が形成されるように、チャンバ４内において窒化用ガスの温度分布が形成された状態で窒化処理を行う。 - 特許庁

The nitrogen concentration of its surface is set at 0.2-2.0 mass% by carbonitriding processing or nitriding processing, and the area ratio of Si-Mn-based nitride including Si and Mn is set at 1%-less than 20%.例文帳に追加

又、浸炭窒化処理若しくは窒化処理によってその表面の窒素濃度を０．２〜２．０質量％とし、且つ、Ｓｉ及びＭｎを含有したＳｉ・Ｍｎ系窒化物の面積率を１％以上２０％未満とする。 - 特許庁

Nitrogen is newly introduced in the gate insulating film 3 nearby an end of the gate electrode 5 by carrying out nitriding processing in an atmosphere containing nitrogen after a polysilicon film 4 is bonded onto the gate insulating film 3 and the gate electrode 5 is patterned in a pattern and before the source-drain region 9 is formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３上に、ポリシリコン膜４を被着してゲート電極５パターンにパターンニングした後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極５端部付近のゲート絶縁膜３中に新たに窒素を導入する。 - 特許庁

a so that the outer ring 2, the inner ring 4, and balls 6 are made of a carburized material or bearing steel, strength of the outer ring 2, the inner ring 4, and the balls 6 are improved so that carbo-nitriding processing or processing of prior austenite crystal grains to the JIS grain size No. 10 or upper is applied to these materials.例文帳に追加

さらに、外輪２、内輪４及びボール６を、浸炭材又は軸受鋼で構成し、浸炭窒化処理又は旧オーステナイト結晶粒をＪＩＳ粒度Ｎｏ．１０番以上にする処理を施すことで、外輪２、内輪４及びボール６の強度を向上させる。 - 特許庁

The SiCO film for example is formed on a fluorine-added carbon film by subjecting a surface of the fluorine-added carbon film on a semiconductor wafer to a nitriding processing, by exposing the same to a plasma atmosphere obtained by making nitrogen gas plasma and then exposing the semiconductor wafer to plasma obtained by making triethylsilane gas and oxygen gas for example plasma.例文帳に追加

半導体ウエハ上のフッ素添加カーボン膜の表面部を、窒素ガスをプラズマ化して得られるプラズマ雰囲気に曝すことにより窒化処理し、次いで半導体ウエハを例えばトリメチルシランガス及び酸素ガスをプラズマ化して得られるプラズマに曝すことによりフッ素添加カーボン膜の上に例えばＳｉＣＯ膜を成膜する。 - 特許庁

In the plasma nitriding processing apparatus that nitrides a substrate having an insulating film, the wafer temperature is in-process monitored before starting the plasma nitiding processing, and the plasma nitriding time or process pressure is controlled by feeding the monitored value of the wafer temperature back to a CPU to enhance the uniformity of the nitridation quantities among the wafers.例文帳に追加

絶縁膜を有する基板を窒化するプラズマ窒化処理装置において、プラズマ窒化処理を開始する前にウェハ温度をインプロセスで計測し、該ウェハ温度の計測値をＣＰＵにフィードバックしてプラズマ窒化時間またはプロセス圧力を制御することにより、ウェハ間の窒化量の均一性を向上することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device includes a step of forming an insulating film on a wafer whose surface is formed of a silicon carbide layer, and a nitriding processing step of nitriding an interface between the silicon carbide layer and an insulating film by heat-treating the wafer after insulating film formation at a predetermined processing temperature in a nitrogen oxide gas atmosphere to which carbon monoxide gas is added.例文帳に追加

本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、表面が炭化珪素層から成るウエハ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜形成後のウエハを一酸化炭素ガスが添加された酸化窒素系ガス雰囲気中で所定の処理温度で熱処理することにより炭化珪素層と絶縁膜との界面を窒化する窒化処理工程と、を備える。 - 特許庁

Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.例文帳に追加

第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁