nitrogenizingとは 意味・読み方・使い方

Vacuum pump exhausting is carried out at the downstream side of the nitrogenizing treatment chamber 22 to cause nitrogen radicals generated in the plasma generating chamber 21 to flow into the nitrogenizing treatment chamber 22.例文帳に追加

また、窒化処理チャンバー２２の下流で真空ポンプによる排気を行い、プラズマ生成チャンバー２１内で生成された窒素ラジカルを窒化処理チャンバー２２内に流す。 - 特許庁

To achieve the same nitrogenizing rate in a surface direction parallel with a substrate main surface and also in surface direction crossing the substrate main surface in nitrogenizing a wafer surface to form a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を形成するためのウエハ表面の窒化にあたり、基板主面と平行な面方向及び交差する面方向の何れについても同様な窒化速度を得る。 - 特許庁

To provide a method for safely, quickly and efficiently producing lithium nitride by nitrogenizing metallic lithium with nitrogen gas at a temperature of below the melting point of metallic lithium without previously performing the mechanically deforming of metallic lithium.例文帳に追加

金属リチウムの融点以下の温度で窒素ガスを用いて窒化する窒化リチウムの製造方法であって、予め金属リチウムに機械的歪み加工を施すことなく、安全、迅速かつ効率よく窒化リチウムを製造する方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes: a step for forming a high-k gate insulating film 30 on a silicon substrate 200; a step for nitrogenizing the high-k gate insulating film 30 using gas comprising nitrogen gas and rare gas; a step for forming an electrode 32 on the high-k gate insulating film 30; and a process for forming an insulating layer 34 while surrounding the electrode 32.例文帳に追加

シリコン基板２００上にHigh-kゲート絶縁膜３０を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜３０を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜３０を窒化する工程と、前記High-kゲート絶縁膜３０上に電極３２を形成する工程と、前記電極３２を囲むように絶縁層３４を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁