photolithographingとは 意味・読み方・使い方

PHOTOLITHOGRAPHING APPARATUS例文帳に追加

光描画装置 - 特許庁

The projection is formed by photolithographing method, and, simultaneously, the spare projection is formed.例文帳に追加

突起物がフォトリソグラフィ法にて形成されると同時に、補修用突起物を形成しておく。 - 特許庁

Only a mask opened at a site opposed to the scheduled region of forming a drain region 2 is formed on the semiconductor substrate through photolithographing process.例文帳に追加

半導体基板上にドレイン領域２の形成予定領域に対向する部位を開口したマスクのみをフォトリソグラフィ工程により形成する。 - 特許庁

A single cavity extending through the electrodes and dielectric layers and terminating at the emitter electrode is formed in a single photolithographing and etching process.例文帳に追加

該電極及び誘電体層を通って延びてエミッタ電極で終端する単一のキャビティが単一のフォトリソグラフ及びエッチングプロセスで形成される。 - 特許庁

A nitride film 1 is deposited on a substrate 10, and after removing the nitride film 1 of a lightly doped N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 3 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

基板１０に窒化膜１を堆積し、写真製版とエッチングによりLightly−Ｎウエル領域の窒化膜１を除去した後、基板１０にリン３をイオン注入し、熱酸化により酸化膜４を形成する。 - 特許庁

After removing the nitride film 1 therefrom, a nitride film 6 is deposited again, and after removing the nitride film 6 of an N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 8 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 9 having the same thickness as the oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

窒化膜１を除去した後、再度、窒化膜６を堆積し、写真製版とエッチングによりＮウエル領域の窒化膜６を除去した後、基板１０にリン８をイオン注入し、熱酸化により酸化膜９を酸化膜４と同じ厚さに形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same capable of suppressing the generation of punch through upon contracting a memory size without adding a photolithographing process on a conventional manufacturing process, in the semiconductor device in which a nonvolatile semiconductor memory element and a high pressure resistant element are mounted on the same semiconductor substrate under a mixed state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶素子と高耐圧素子とを同一の半導体基板に混載した半導体装置において、従来の製造工程に対して、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、メモリサイズを縮小化したときのパンチスルーの発生を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁