plane targetとは 意味・読み方・使い方

The W sputtering target is characterized in that a half band width of a peak corresponding to a crystal plane (110) of the target is 0.35 or less when a surface of the target to be sputtered is analyzed by X-ray diffraction.例文帳に追加

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In a sputtering target of high-purity TaN, the intensity peak ratio (101) plane:(110) plane is 1: 0.49±30%, where the intensity peaks are measured on the surface of the target through an X-ray diffraction method.例文帳に追加

高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比（(101)/(110))が0.49±30% 以内である。 - 特許庁

In this case, the bit plane coding section 2 integrates a code amount for each sequential coding from the high-order bit plane and compares the integrated code amount with a target code amount.例文帳に追加

このとき、上位ビットプレーンから順次符号化してゆくごとに符号量を積算し、目標符号量と比較してゆく。 - 特許庁

From the information of a target position and a target size, the rectangle of a picture image to be displayed on a plane is set on a real work area 41 like a figure (c), expanded into plane size like a figure (d) and stored on a plane display part.例文帳に追加

対象位置と対象サイズの情報から、プレーンで表示する画像イメージの矩形を実作業領域４１上に図の（ｃ）のように設定し、かつ図の（ｄ）のようにプレーンサイズに拡大してプレーン表示部に格納する。 - 特許庁

A target in-plane tendency of the size of the resist pattern is calculated using expression (1) ΔXt=ΔX1-ΔXe (step S6).例文帳に追加

下記式（１）を用いてレジストパターンの寸法の目標面内傾向を算出する（ステップＳ６）。 - 特許庁

To provide a method of positioning a target portion of a substrate with respect to a focal plane of a projection system.例文帳に追加

投影システムの焦点面に対して基板のターゲット部分を配置する方法を提供する。 - 特許庁

The upper boundary line La shows the height position of the cross-section upper end of a display target plane 78.例文帳に追加

上部境界線Ｌａは、表示対象面７８の断面の上端の高さ位置を示す。 - 特許庁

To achieve stabilization of a film deposition rate, to enhance in-plane uniformity and to prolong the life of a target.例文帳に追加

成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。 - 特許庁