polished surface techniqueとは 意味・読み方・使い方

To provide technique for easily installing an ID mark, even on a substrate having an end surface polished into a curved surface, for reading.例文帳に追加

端面が曲面に研磨された基板に対しても、簡単にＩＤマークを設置し読み取る事のできる技術を提供することにある。 - 特許庁

Then, the dielectric film on the wafer surface is polished with the known CMP technique to realize complete flatness easily.例文帳に追加

その後、公知のＣＭＰ技術を用いてウェハ表面の絶縁膜を研磨することにより、容易に完全平坦化が実現できる。 - 特許庁

To provide a technique capable of preventing scratches on the surface of a material to be polished without lowering the throughput in a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程においてスループットを低下させることなく、被研磨材の表面に生ずるスクラッチを防ぐことのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing technique capable of polishing, at a high speed, a base material of a high hardness containing Al, such as a sapphire single crystal substrate, and capable of achieving a polished surface having high surface accuracy.例文帳に追加

本発明は、サファイア単結晶基板などのＡｌを含有する、高硬度の基材を、高速で研摩処理することが可能となり、高い面精度を有した研摩面を実現できる研摩処理技術を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad that can smoothly and flatly polish the surface of an object to be polished by applying a polishing technique by which polishing ending timing can be determined, and to provide a method of manufacturing the pad.例文帳に追加

研磨を終了する時点を判定する研磨技術を応用して、被研磨物の表面を平滑で平坦に安定して研磨できる研磨パッド及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a polishing method, polishing tool, and polishing device assuring a good surface accuracy of the surface of an optical element of non- spherical type to be polished as improvement of a conventional technique in which the flexibility of the polishing tool is improper not allowing polishing in good workmanship to result in a low surface accuracy of the optical element.例文帳に追加

非球面光学素子を研磨する際、研磨工具の柔軟性が適切ではないために、良好な研磨ができず、光学素子の表面精度が低いという問題点を解決し、光学素子表面の面精度が良好な研磨方法、研磨工具、研磨装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for preferentially polishing a projection under the control for polishing of a recess and for highly flattening polishing surface with extraordinary small quantity of polishing work, with less dependence on pattern of polishing velocity on the occasion of polishing the surface to be polished of a material layer of the silicon dioxide system during manufacture of a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造において、二酸化ケイ素系材料層の被研磨面を研磨する場合の研磨速度のパターン依存性が少なく、凹部の研磨を抑制しながら凸部を優先的に研磨でき、極めて少ない研磨量で被研磨面を高平坦化することが可能な技術を提供する。 - 特許庁