poly cとは 意味・読み方・使い方

The objective poly (lactic acid) resin composition comprises (A) a crystalline poly (lactic acid) resin, (B) a plasticizer and (C) a crystal- nucleating agent as essential components and has the glass transition temperature of ≤30°C, the temperature-falling crystallization heat of ≥10 J/g and the temperature-falling crystallization peak temperature of ≥80°C.例文帳に追加

（Ａ）結晶性ポリ乳酸系樹脂、（Ｂ）可塑剤、（Ｃ）結晶核剤を必須成分とし、ガラス転移温度≦３０℃、降温結晶化発熱量≧１０（Ｊ／ｇ）、降温結晶化ピーク温度≧８０℃である高結晶性ポリ乳酸樹脂組成物。 - 特許庁

The polycarbonate resin composition is obtained by compounding (A) 100 pts.wt. polycarbonate resin, with (B) 1-9 pts.wt. cyclic poly(alkylene terephthalate) oligomer and (C) 0.05-0.5 pts.wt. phosphorus compound.例文帳に追加

(A) ポリカーボネート樹脂100重量部に対し、(B) 環状ポリ（アルキレンテレフタレート）オリゴマー１〜９重量部、(C) リン化合物0.05〜0.5重量部を配合する。 - 特許庁

This polyether-based lubricant comprises an alkylene oxide adduct, having a clouding point of not higher than 30°C, to an alkyl(poly) alkylene polyamine or a (poly)alkylene polyamine, and an organic acid in a specific ratio.例文帳に追加

曇点が３０℃以下であるアルキル（ポリ）アルキレンポリアミン又は（ポリ）アルキレンポリアミンのアルキレンオキシド付加物と有機酸を特定の割合で配合してなるポリエーテル系潤滑剤。 - 特許庁

The composition comprises (A) a polyacetal resin, (B) a poly-β-alanine polymer containing 30-70 mol% of a primary amide group, and (C) a polyamide polymer having a melting point of 140°C-230°C.例文帳に追加

（Ａ）ポリアセタール樹脂と（Ｂ）第一級アミド基を３０〜７０ｍｏｌ％含有するポリ−β−アラニン重合体と（Ｃ）融点が１４０℃〜２３０℃であるポリアミド重合体から成る組成物。 - 特許庁

Further, the poly-crystal tantalum oxide film 58 is subjected to a heat treatment in an oxidative atmosphere such as ozone at 500°C for 5 min. to correct the deficiency of oxygen in the poly-crystal tantalum oxide film 58.例文帳に追加

さらに、多結晶酸化タンタル膜５８にオゾン等酸化性雰囲気にて、５００℃、５分の熱処理を施し、多結晶酸化タンタル膜５８中の酸素欠陥を回復する。 - 特許庁

Under this state, poly(acetyloxystyrene) 10 is held for 30 minutes in the supercritical fluid 13 at 40°C under 80 atm. to remove the protecting group (an acetyl group) in poly(acetyloxystyrene) 10.例文帳に追加

この状態で、ポリ（アセチルオキシスチレン）１０を、４０℃で且つ８０気圧の超臨界流体１３中に３０分間保持して、ポリ（アセチルオキシスチレン）１０の保護基（アセチル基）を脱離させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor crystal film such as a poly-Si thin film on an insulating or a flexible substrate such as a glass with the use of low temperature process of not more than the softening point (500°C) of a glass.例文帳に追加

ガラスの軟化点（500℃）以下の低温プロセスを用いて、poly-Si薄膜などの半導体結晶膜をガラスなどの絶縁性、又は、柔軟性基板上に作製する方法を提供する。 - 特許庁

The plasticizer for resins is mainly composed of a compound obtained by a reaction of (a) a (poly)alkylene glycol, (b) an aliphatic dicarboxylic acid, (c) an aliphatic monocarboxylic acid and (d) a (poly)alkylene glycol monoalkyl ether.例文帳に追加

（ａ）（ポリ）アルキレングリコール、（ｂ）脂肪族ジカルボン酸、（ｃ）脂肪族モノカルボン酸、および（ｄ）（ポリ）アルキレングリコールモノアルキルエーテルの反応により得られる化合物を主成分とする樹脂用可塑剤。 - 特許庁