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polycrystalline electrodeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 多結晶電極
「polycrystalline electrode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 306件
MANUFACTURING METHOD OF POLYCRYSTALLINE ITO FILM AND POLYCRYSTALLINE ITO ELECTRODE例文帳に追加
多結晶ITO皮膜および多結晶ITO電極の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE SILICON AND SEED HOLDING ELECTRODE例文帳に追加
多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極 - 特許庁
In this image display using transistors each having a polycrystalline semiconductor layer and a gate electrode is formed through an insulating film on the upper surface of the polycrystalline semiconductor layer, and a drain region is formed on one side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and a source region is formed on another side of the gate electrode of the polycrystalline semiconductor.例文帳に追加
さらに、本発明は、LDD領域における不純物濃度の制御が容易な構成な多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Furthermore, the manufacturing method of a polycrystalline ITO electrode is provided.例文帳に追加
多結晶ITO電極の製造方法をさらに提供する。 - 特許庁
A gate-electrode pattern and a capacitor-electrode pattern are subsequently formed on the polycrystalline silicon film 111.例文帳に追加
その後、多結晶シリコン膜111にゲート電極パターンと容量電極パターンを形成する。 - 特許庁
The control gate electrode part 71 is silicided after a polycrystalline silicon film is formed.例文帳に追加
制御ゲート電極部71は多結晶シリコン膜の成膜後にシリサイド化する。 - 特許庁
To prevent a short circuit between an electrode unit and a reaction furnace when polycrystalline silicon is deposited.例文帳に追加
多結晶シリコン析出時の電極ユニットと反応炉との短絡を防止する。 - 特許庁
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「polycrystalline electrode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 306件
Thereafter, the amorphous silicon semiconductor 16 patterned into the shape of a gate electrode layer is subjected to heat treatment, by which the amorphous silicon semiconductor 16 is turned polycrystalline, and thus a polycrystalline semiconductor film 18 is obtained.例文帳に追加
その後、熱処理を施すことにより、当該アモルファス半導体を多結晶化し、多結晶半導体膜18とする。 - 特許庁
A gate electrode upper layer of a MOS transistor, a polycrystalline silicon film to be a base electrode of a bipolar transistor are formed on a polycrystalline silicon film to be a gate electrode lower layer of the MOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタのゲート電極下層となる多結晶シリコン膜51bの上に、MOSトランジスタのゲート電極上層およびバイポーラトランジスタのベース電極となる多結晶シリコン膜52を形成する。 - 特許庁
Grain boundaries of the polycrystalline metal appear at the top surface 2a of the lower electrode layer 2.例文帳に追加
下部電極層2の上面2aには、金属多結晶体の粒界が現れている。 - 特許庁
POLYCRYSTALLINE MESOCARBON MICROSPHERE-GRAPHITIZED ARTICLE, NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE SUBSTANCE, AND LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY例文帳に追加
多結晶メソカーボン小球体黒鉛化品、負極活物質およびリチウムイオン二次電池 - 特許庁
A gate electrode 7 is equipped with a polycrystalline silicon layer 3, a barrier layer 4, and a metal layer 5.例文帳に追加
ゲート電極7は、多結晶シリコン層3と、バリア層4と、金属層5とを備える。 - 特許庁
In the bipolar transistor in which the extraction electrode is formed by the polycrystalline film, the polycrystalline film has a composition of Si_(1-y)C_y(0<y<1).例文帳に追加
引き出し電極が多結晶膜で形成されているバイポーラトランジスタであって、多結晶膜がSi_(1-y)C_y(0<y<1)の組成を有している。 - 特許庁
In this way, the base epitaxial layer 17 and a polycrystalline Si film 13 for leading a base electrode are connected with each other via the polycrystalline silicon film 5.例文帳に追加
このようにして、多結晶シリコン膜5を介して、ベースエピタキシャル層17とベース電極引き出し用の多結晶Si膜12を接続する。 - 特許庁
An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method.例文帳に追加
n型多結晶Si薄膜3及びp型多結晶Si薄膜4は、エピタキシャル成長法により金属電極2上に形成する。 - 特許庁
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