polycrystalline silicon thin film transistorsとは 意味・読み方・使い方

A plurality of unit thin film transistors(TRs) TFT manufactured by using a thin film polycrystalline silicon(p-Si) or a thin film amorphous silicon(a-Si) on a substrate 1 are connected in parallel to configure a high frequency signal switching element with a low ON-resistance.例文帳に追加

基板１上に薄膜ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）もしくは薄膜アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いて作られた単位ＴＦＴを複数個並列接続して、低オン抵抗の高周波信号切替素子を構成した。 - 特許庁

To provide a group of high-performance thin film transistors with favorable uniform displaying performance on a large screen and a liquid crystal display device using it when thin film transistors using polycrystalline silicon are used as a driving circuit part in the liquid crystal display device.例文帳に追加

多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを駆動回路部に使用する液晶表示装置において、大画面の表示の際に均一表示性能に問題点が生じない高性能な薄膜トランジスタ群及びそれを用いた液晶表示装置を提供することを主たる目的とする。 - 特許庁

To provide a group of high-performance thin film transistors with favorable uniform displaying performance on a large screen and a liquid crystal display device using it, when thin film transistors using polycrystalline silicon are used as a driving circuit part in the liquid crystal display device.例文帳に追加

多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを駆動回路部に使用する液晶表示装置において、大画面の表示の際に表示均一性にに問題点が生じない高性能な薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置を提供することを主たる目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a quartz substrate 1, and a plurality of n-type thin-film transistors 10 formed on the substrate 1 and each having a polycrystalline silicon film 5 having a channel region 5c wherein carriers run in the A direction.例文帳に追加

この半導体装置は、石英基板１と、石英基板１上に形成され、Ａ方向にキャリアが流れるチャネル領域５ｃを有する多結晶シリコン膜５を含む複数のｎ型薄膜トランジスタ１０とを備えている。 - 特許庁

In the process for forming the thin film transistor wherein a polycrystalline silicon thin film is used as an active layer on a glass substrate (11), at least a part or all of metal patterns (12) which exist at the peripheral part of the glass substrate and do not concern the formation of thin film transistors (13) are removed by photolithography.例文帳に追加

ガラス基板(11)上に多結晶シリコン薄膜を活性層に用いた薄膜トランジスタを形成する過程において、前記ガラス基板周辺部の薄膜トランジスタ(13)形成に関与しない金属パターン(12)の少なくとも一部または全部をフォトリソグラフィによって除去する。 - 特許庁

The polycrystalline silicon films 5 constituting the n-type thin-film transistors 10 have twinning planes 6a and 6b so formed as to be approximately in parallel with the A direction.例文帳に追加

そして、複数のｎ型薄膜トランジスタ１０を構成する多結晶シリコン膜５は、双晶面６ａおよび６ｂを有するとともに、双晶面６ａおよび６ｂは、Ａ方向にほぼ平行になるように形成されている。 - 特許庁

To provide a display where polycrystalline silicon thin film transistors different in crystal grain or mobility exist mixedly in the display picture element region and the circuit region.例文帳に追加

表示画素領域と回路領域とに、結晶粒径や移動度が異なる多結晶シリコン薄膜トランジスタが混在する表示装置を提供することにある。 - 特許庁