polycrystalline silicon thin filmsとは 意味・読み方・使い方

The method further comprises the steps of then, as shown in Fig. (D), forming metal thin films 60 and 70 on the gate insulation film 50, irradiating the films with a laser beam 80 from above to crystallize the amorphous silicon thin film 40 to a polycrystalline silicon thin film 90 and a single-crystal silicon thin film 100.例文帳に追加

つぎに、図１（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜５０の上に金属薄膜６０および７０を形成し、その上からレーザー光８０を照射して非晶質シリコン薄膜４０を結晶化させ、多結晶シリコン薄膜９０および単結晶シリコン薄膜１００とする。 - 特許庁

To provide a crystal silicon thin film semiconductor device, wherein polycrystalline silicon layer thin films can be easily combined so as to keep the device high in photoelectric conversion efficiency, an inexpensive board material can be used because a board temperature is low, a polycrystalline semiconductor thin film of comparatively large thickness can be formed in a short time, and the device can be lessened in cost and enhanced in quality.例文帳に追加

多結晶シリコン層の薄膜の組み合わせが容易で光電変換効率が高く、基板温度が低くて安価な基板材料が使用でき、短かい時間で比較的膜厚の厚い多結晶半導体薄膜の形成ができ、コスト低減が可能な高品質の結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。 - 特許庁

The polycrystalline silicon films 5 constituting the n-type thin-film transistors 10 have twinning planes 6a and 6b so formed as to be approximately in parallel with the A direction.例文帳に追加

そして、複数のｎ型薄膜トランジスタ１０を構成する多結晶シリコン膜５は、双晶面６ａおよび６ｂを有するとともに、双晶面６ａおよび６ｂは、Ａ方向にほぼ平行になるように形成されている。 - 特許庁

To obtain a capacitor whose reliability is high, even when the film thickness of an oxide film forming an insulating layer is extremely thin, for example, 100 Å or smaller in a capacitor having polycrystalline silicon films as the upper and lower electrode layers.例文帳に追加

多結晶シリコン膜を上下の電極層として有するキャパシタにおいて、絶縁層をなす酸化膜の膜厚が１００Å以下と非常に薄い場合でも、信頼性の高いキャパシタを得る。 - 特許庁

A strong field drift layer 6 is constituted of at least grains 51 of pillar-shaped polycrystalline silicon, thin silicon oxide films 52 formed on surfaces of the grains 51 numerous silicon crystallites 63 of nanometer order, existing among the grains 51 and numerous silicon oxide films 64 which are insulating films of film thicknesses smaller than the grain sizes of the silicon crystallites 63 formed on the surface of respective silicon crystallites 63.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、少なくとも、柱状の多結晶シリコンのグレイン５１と、グレイン５１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜５２と、グレイン５１間に介在する多数のナノメータオーダのシリコン微結晶６３と、各シリコン微結晶６３の表面に形成され当該シリコン微結晶６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜である多数のシリコン酸化膜６４とから構成される。 - 特許庁

The manufacturing method also includes steps of: forming a semiconductor layer 42 of a thin film transistor; forming a gate insulating film 2 on the semiconductor layer 42; forming an amorphous silicon layer 34A on the gate insulating films 2; and crystallizing the amorphous silicon layer by irradiating the amorphous silicon layer 34A with light to form a capacity electrode layer 34 made of polycrystalline silicon.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

In the thin-film transistor, the length direction of a crystal particle size that composes semiconductor thin films 3 (3A and 3B) comprising a polycrystalline silicon thin film formed by laser crystallization is aligned along the running direction of a carrier that runs in a channel region 4 of a P- and N-type MOS transistors 23 and 24 of a CMOS transistor 25 composing an inverter.例文帳に追加

開示されている薄膜トランジスタは、レーザ結晶化により形成された多結晶シリコン薄膜から成る半導体薄膜３（３Ａ、３Ｂ）を構成している結晶粒子サイズの長さ方向は、インバータを構成しているＣＭＯＳトランジスタ２５のＰ型ＭＯＳトランジスタ２３及びＮ型ＭＯＳトランジスタ２４のチャネル領域４を走行するキャリアの走行方向に沿って揃えられている。 - 特許庁