polycrystalline silicon depositionとは 意味・読み方・使い方

This device for producing polycrystalline silicon includes: a reaction tube in which a silicon deposition reaction occurs; a fluid gas-feeding part which feeds a fluid gas to silicon particles in the reaction tube; and a means which keeps the reaction temperature constant when the silicon deposition reaction occurs in the reaction tube.例文帳に追加

内部でシリコン析出反応が起きる反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管の内部でシリコン析出反応時に反応温度を一定に維持させるための手段と、を含む。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing polycrystalline silicon efficiently by indirectly grasping the amount of deposited silicon, a deposition state, a molten and dropping state, and the like, in the apparatus for manufacturing silicon where the deposition state of silicon cannot be visually observed.例文帳に追加

シリコンの析出状態を目視的に監視できないシリコン製造装置においても、シリコンの析出量、析出状態および溶融落下状態などを間接的に把握し、効率よく多結晶シリコンを製造する方法および該方法に用いられるシリコン製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a fluid-bed reactor which stably feeds a reaction gas, improves efficiency in silicon deposition, and prevents polycrystalline silicon from being contaminated by impurities when silicon is deposited.例文帳に追加

反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。 - 特許庁

This manufacture comprises the steps of forming a bottom silicon oxide film HTO1 on a polycrystalline or amorphous silicon layer by high-temperature chemical vapor deposition(HT-CVD), forming an intermediate silicon nitride film SiN on the bottom silicon oxide film HTO1 by chemical vapor deposition(CVD) and forming a top silicon oxide film HTO2 on the intermediate silicon nitride film SiN by HT-CVD.例文帳に追加

多結晶または非晶質のシリコン層上に、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１を高温化学的気相堆積（ＨＴ−ＣＶＤ）により成膜する工程と、ボトム酸化シリコン膜ＨＴＯ１上に、中間窒化シリコン膜ＳｉＮを化学的気相堆積（ＣＶＤ）により成膜する工程と、中間窒化シリコン膜ＳｉＮ上に、トップ酸化シリコンＨＴＯ２をＨＴ−ＣＶＤにより成膜する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a fluidized-bed reactor capable of uniformly supplying enough heat for silicon deposition and flowing gas, capable of mass-producing a polycrystalline silicon, and easy to assemble, install, and maintain.例文帳に追加

シリコン析出のために十分な熱と流動ガスとを均一に供給することができ，多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易な流動層反応器を提供する。 - 特許庁

A first electrode and a second electrode separated from each other are formed on a substrate and after stacking a silicon layer in which amorphous silicon and polycrystalline silicon exist mixedly by the sputtering method or the chemical vapor deposition method, a semiconductor is formed by patterning the silicon film.例文帳に追加

基板上に互いに分離されている第１及び第２電極を形成し、非晶質と多結晶シリコンとが混在するシリコン膜をスパッタリング法または化学気相蒸着法で積層した後、前記シリコン膜をパターニングして半導体を形成する。 - 特許庁

To provide a polycrystalline silicon manufacturing technique in which mounting of a silicon core wire into a core wire holder is easy, the time required to make the core wire holder hold the silicon core wire with satisfactory strength is shortened, falling is prevented, and it is made possible to shorten growth rate control time in the early stage of deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the polycrystalline silicon rod by deposition from a gas phase on a core rod comprises: attaching at least one disk above the electrode and/or below the bridge of a rod pair, wherein the at least one disk comprises a material having a lower electrical resistivity than that of polycrystalline silicon under deposition conditions.例文帳に追加

気相から心棒に析出させることにより多結晶シリコンロッドを製造する方法において、電極の上側及び／又はロッドペアのブリッジの下側に、析出条件下で多結晶シリコンよりも低い比電気抵抗を有する材料からなる１つ又は複数のディスクを取り付けることを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。 - 特許庁