SiN onとは 意味・読み方・使い方

The timing adjusting circuit includes: a timing reset part 3 aligning phases of first signals Sin (Sin_a to Sin_n); and a timing setting part 4 setting an output timing for each of the first signals Sin to output the output timing on the basis of a second signal P indicating the output timing of the first signal Sin.例文帳に追加

第１の信号Ｓｉｎ（Ｓｉｎ＿ａ〜Ｓｉｎ＿ｎ）の位相を揃えるタイミングリセット部３と、第１の信号Ｓｉｎの出力タイミングを示す第２の信号Ｐに基づき、第１の信号Ｓｉｎ毎に出力タイミングを設定して出力するタイミング設定部４と、を備える。 - 特許庁

The beam component 7 is formed out of SiN membrane 10 on a lower layer, A1 membrane 11 on an intermediate layer, and SiN membrane 12 on an upper layer.例文帳に追加

梁構成部７は、下層のＳｉＮ膜１０、中間層のＡｌ膜１１及び上層のＳｉＮ膜１２からなる。 - 特許庁

The beam component 8 is formed out of a SiN membrane 13 on the lower layer, the Al membrane 11 on the intermediate layer, SiN membrane 14 on the upper layer.例文帳に追加

梁構成部８は、下層のＳｉＮ膜１３、中間層のＡｌ膜１１及び上層のＳｉＮ膜１４からなる。 - 特許庁

An SiN film 34 is formed on the silver alloy film 33, and an SiO2 film 35 is formed on the SiN film 34.例文帳に追加

この銀の合金膜３３の上にＳｉＮ膜３４が形成され、このＳｉＮ膜３４の上にＳｉＯ_2膜３５が形成される。 - 特許庁

On the SiN film 11, in addition, an Au/Ti layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳｉＮ膜の上にはさらに、Ａｕ／Ｔｉ層１３が形成されている。 - 特許庁

Following to formation of an SiN film 2 on an Si substrate 1, Si+ ions are implanted into the ion implanting region 3 of the SiN film 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にＳｉＮ膜２を形成した後に、Ｓｉ^+イオンをＳｉＮ膜２のイオン注入領域３にイオン注入する。 - 特許庁

Hall amplifiers HAMP1 to HAMP3 generate sine wave voltages SIN_-U to SIN_-W, respectively, based on hall signal pairs SH1-SH3.例文帳に追加

ホールアンプＨＡＭＰ１〜ＨＡＭＰ３はそれぞれ、ホール信号対ＳＨ１〜ＳＨ３にもとづき正弦波電圧ＳＩＮ＿Ｕ〜ＳＩＮ＿Ｗを生成する。 - 特許庁

A first layer SiN film 5 is formed on the film 3 by a plasma CVD method by using SiH_4 gas and NH_3 gas.例文帳に追加

膜３の上に、SiH_4ガスおよびNH_3ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により第１層SiN膜５を形成する。 - 特許庁