polycrystalline systemとは 意味・読み方・使い方

To provide a crystal growth system in which a polycrystalline semiconductor thin film having a large grain size can be obtained easily and stably.例文帳に追加

大きな結晶粒を有する多結晶半導体薄膜が容易にかつ安定的に得られる結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

Since hydrogen included in the polycrystalline silicon resistance layer 14a is uniformly absorbed by the Ti films 18a and 18b, the dispersion of the resistance value of the polycrystalline silicon resistance layer 14a due to hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer 14a by a Ti system barrier metal film 26c formed on a second interlayer insulating film 24 above the polycrystalline silicon resistance layer 14a does not occur.例文帳に追加

従って、Ｔｉ膜１８ａ、１８ｂにより多結晶シリコン抵抗層１４ａに含有される水素は均一に吸収されるため、多結晶シリコン抵抗層１４ａ上方の第２層間絶縁膜２４上に形成されているＴｉ系バリヤメタル膜２６ｃによる多結晶シリコン抵抗層１４ａからの水素吸収に起因する多結晶シリコン抵抗層１４ａの抵抗値の変動は生じない。 - 特許庁

To provide an excimer laser annealing system for forming a polycrystalline semiconductor film with high uniformity by eliminating beam intensity distribution due to diffraction of line beam.例文帳に追加

ラインビームの回折によるビーム強度分布をなくし、均一性の良い多結晶半導体膜を形成できるエキシマレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for reducing the surface roughness of a polycrystalline or monocrystalline thin film produced by a sequential lateral solidification process.例文帳に追加

順次側方凝固プロセスによって生産する多結晶または単結晶の薄膜フィルムの表面粗さを低減するシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

The silicon crystal forming apparatus controls the growing direction of polycrystalline crystal grains by a system of cooling the bottom part of a crucible, and forms twin boundaries at the crystal grains.例文帳に追加

シリコン結晶体成形装置は、坩堝底部を冷やす方式で多結晶結晶粒の成長方向をコントロールし、該結晶粒に双晶境界を成形する。 - 特許庁

Light beam L3 reflected by a projection optical system after transmitted through a counter substrate 40 is never made incident on the polycrystalline silicon film since the light beam L3 is reflected by the upper light shielding layer.例文帳に追加

また、対向基板４０を透過した後、投射光学系によって反射された光Ｌ３も、上部遮光層で反射されるため、多結晶シリコン膜に入射することがない。 - 特許庁

To provide a plasma enhanced CVD system which can shorten the time required for hydrogenating the polycrystalline silicon of a thin film transistor(TFT) and forming a transparent film on the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴの多結晶体シリコンの水素化処理と透明膜成膜処理との工程の短縮を図ることができるプラズマＣＶＤ装置およびＴＦＴ製造方法を提供する。 - 特許庁

After a buffer layer made of amorphous or polycrystalline boron phosphite system semiconductor is formed on a semiconductor substrate, a {110}-boron phosphite system semiconductor crystal layer is formed within a temperature range of 750°C-1200°C on the buffer layer.例文帳に追加

単結晶基板上に、非晶質または多結晶のリン化硼素系半導体からなる緩衝層を形成した後、該緩衝層上に、７５０℃以上１２００℃以下の温度範囲で、｛１１０｝−リン化硼素系半導体結晶層を形成する。 - 特許庁