polycrystalline titaniumとは 意味・読み方・使い方

In a different example, the semiconductor device is a transistor and structure formed on the layer of the suboxide material is a gate electrode (containing polycrystalline silicon, tungsten, titanium, tungsten nitride, titanium nitride, platinum, aluminum or arbitrary combinations of them).例文帳に追加

別の実施例では、半導体デバイスはトランジスタであり、この場合、亜酸化物材料の層の上に形成される構造はゲート電極（好ましくは多結晶シリコン、タングステン、チタン、窒化タングステン、窒化チタン、白金、アルミニウム又はその任意の組合せを含む）である。 - 特許庁

Then a variable resistance film 26 made of nickel oxide is deposited and then heat-treated to grow crystal of the polycrystalline conductive film 33 and also to react titanium contained in the polycrystalline conductive film 33 and oxygen contained in the variable resistance film 26 with each other.例文帳に追加

次に、ニッケル酸化物からなる抵抗可変膜２６を堆積させ、その後加熱処理を行い、多結晶導電膜３３の結晶を成長させると共に、多結晶導電膜３３に含まれるチタンと抵抗可変膜２６に含まれる酸素とを反応させる。 - 特許庁

A high melting-point metal silicide film missing detecting element comprises a polycrystalline silicon film pattern 110 where an n+ type region 116ab and a p+ type region 116ba are connected alternately, and a titanium silicide film pattern 126A provided in self-aligning manner on the upper surface of the polycrystalline silicon film pattern 110.例文帳に追加

高融点金属シリサイド膜欠落検出素子は、ｎ^+ 型領域１１６ａｂとｐ^+ 型領域１１６ｂａとが交互に接続された多結晶シリコン膜パターン１１０と、多結晶シリコン膜パターン１１０上面に自己整合的に設けられたチタン・シリサイド膜パターン１２６Ａとからなる。 - 特許庁

When a variable resistance element of the semiconductor memory device is manufactured, an amorphous film 32 made of titanium silicon nitride is deposited on a conductive film 31 made of tungsten and a polycrystalline conductive film 33 made of titanium nitride is deposited thereupon to form a lower electrode 25.例文帳に追加

半導体記憶装置の抵抗可変素子を作製する際に、タングステンからなる導電膜３１上にチタンシリコン窒化物からなる非晶質膜３２を堆積させ、その上にチタン窒化物からなる多結晶導電膜３３を堆積させることにより、下部電極２５を形成する。 - 特許庁

A titanium silicide reaction layer 6b is formed between the metallic particles 6a and the polycrystalline silicon film 7, and a reaction layer 6c is formed between the metallic particles 6a and the gate insulating film 5 in this case.例文帳に追加

ここで、金属粒子６ａと多結晶シリコン膜７との間にはチタンシリサイド反応層６ｂが形成され、金属粒子６ａとゲート絶縁膜５との間には反応層６ｃが形成される。 - 特許庁

The thin-film transistor includes a substrate, an active layer formed thereon by using a polycrystalline or amorphus titanium oxide, and an insulating film formed on the active layer.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて形成される活性層と、前記活性層上に形成される絶縁膜とを含む。 - 特許庁

This cathode includes a polycrystalline 1 or a porous substance, having a high-melting point consisting of, for instance, W and an emissive material 2, in which at least one material selected from among a group of hafnium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, ceric oxide and titanium oxide is dispersed into the polycrystalline substance, with the content being 0.1 to 3 weight %.例文帳に追加

たとえばＷからなる高融点金属材料の多結晶体１または多結晶多孔質体と、その多結晶体１中に、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化セリウム、および酸化チタンの群れから選ばれる少なくとも１種が０.１〜３０重量％分散されたエミッタ材２とからなっている。 - 特許庁

By forming polycrystalline silicon layer 12 on the source region S, when the local source line LS is formed by forming a titanium film and a tungsten film, silicide is prevented from proceeding into the source regions.例文帳に追加

ソース領域Ｓの表面に多結晶シリコン層１２を形成しておくことで、チタン膜およびタングステン膜を形成してローカルソース線ＬＳを形成した場合に、シリサイドがソース領域Ｓの中に進行するのを防止する。 - 特許庁