polysilicon gateとは 意味・読み方・使い方

To eliminate residue of polysilicon when isolating an gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極を分離する際のポリシリコン残りを無くす。 - 特許庁

To provide a gate overlap type LDD polysilicon TFT.例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型LDD ポリシリコンTFT を提供する。 - 特許庁

The gate electrode wiring 11 is superposed on the polysilicon semiconductor layer 21 and the dummy polysilicon semiconductor layer 25.例文帳に追加

ゲート電極配線11をポリシリコン半導体層21およびダミーポリシリコン半導体層25に重ねる。 - 特許庁

The polysilicon film 17 is patterned to form gate electrodes 17' of polysilicon films 17.例文帳に追加

ポリシリコン膜１７をパターニングし、ポリシリコン膜１７からなるゲート電極１７’を形成する。 - 特許庁

The p+ doped polysilicon region 21a is a region for electrically isolating the polysilicon gate electrode 10 from the n+ doped polysilicon region 22.例文帳に追加

ｐ^+ ドープドポリシリコン２１ａは、ポリシリコンゲート電極１０とｎ^+ ドープドポリシリコン領域２２とを電気的に分離するための領域である。 - 特許庁

A gate oxide film 4 is formed on the cathode film 3, and a gate polysilicon 5 is formed on the gate oxide film 4.例文帳に追加

カソード膜３上にゲート酸化膜４を形成し、その上にゲートポリシリコン５を形成する。 - 特許庁

The transistor is formed of the diffusion layer 103 and the gate polysilicon 104 that serves as the gate electrode, and the net-like gate polysilicon wiring 101 and the gate polysilicon 104 in the transistor are formed on in the same process.例文帳に追加

トランジスタは、拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成され、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、トランジスタのゲートポリシリ１０４は、同一工程で形成される。 - 特許庁